Piikarbidilla (SiC) on korkeampi dielektrinen läpilyöntilujuus, energiakaistaero ja lämmönjohtavuus kuin piillä. Näitä ominaisuuksia tehoelektroniikkasuunnittelijat voivat hyödyntää kehittääkseen tehokkaampia tehonmuuntimia, joiden tehotiheys on suurempi kuin pii-IGBT -komponentteihin perustuvissa malleissa.
Korealainen SK hynix ilmoittaa aloittaneensa ensimmäisten DRAM-piirien valmistuksen EUV-prosessissa. Tällä ultravioletin aallonpituutta eli 13 nanometrin laserilla piirien virrankulutus pienenee viidenneksellä, yhtiö ilmoittaa.
SK hynix kertoo, että ensimmäinen EUV-piiri on DDR4-tekniikkaa tukeva mobiililaitteiden 8 gigabitin LPDDR4-siru. Sen prosessiversio on 1anm, mikä tarkoittaa neljännen polven alle 20 nanometrin prosessia.
Yhtiön mukaan uusimman polven DRAM-piirit ehtivät älypuhelinvalmistajille tämän vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.
Siirtyminen tiheämpään prosessiin tarkoittaa, että samankokoiselta piikiekolta saadaan 25 prosenttia enemmän DRAM-piirejä. SK hynix näkee myös, että tuotannon tehostuminen näin auttaa myös paikkaamaan pahaa DRAM-piirien pulaa markkinoilla.
Ensimmäinen EUV-piiri siirtää dataa 4266 megahertsin nopeudella eli kyse on nopeimmasta DDR4-spesifikaatiosta. Ensi vuoden alussa SK hynix aikoo siirtää EUV-prosessinsa uusien DDR5-muisten valmistukseen.
Nokia ja Radiográfica Costarricense SA (RACSA, Grupo ICE tytäryhtiö) ovat ilmoittaneet ottaneensa käyttöön Costa Rican ensimmäisen itsenäisen 5G SA -verkon. Projekti tuo nopean ja viiveettömän 5G-yhteyden merkittäviin kaupunkikeskuksiin, kuten San Joséen, Cartagoon ja Limóniin, sekä maaseutuyhteisöihin ympäri maata. Tämä merkitsee merkittävää virstanpylvästä Costa Rican digitaalisessa kehityksessä.
Kanadalainen Angéline Bilodeau ottaa vastuun Northvoltin tehtaasta Skellefteåssa sen jälkeen, kun toimitusjohtaja Mark Duchesne erosi eilen, raportoi uutistoimisto Reuters. Niin ikään kanadalainen Duchesne ehti olla Northvoltin toimitusjohtaja vain reilun vuoden ajan.
