Korealainen SK hynix ilmoittaa aloittaneensa ensimmäisten DRAM-piirien valmistuksen EUV-prosessissa. Tällä ultravioletin aallonpituutta eli 13 nanometrin laserilla piirien virrankulutus pienenee viidenneksellä, yhtiö ilmoittaa.
SK hynix kertoo, että ensimmäinen EUV-piiri on DDR4-tekniikkaa tukeva mobiililaitteiden 8 gigabitin LPDDR4-siru. Sen prosessiversio on 1anm, mikä tarkoittaa neljännen polven alle 20 nanometrin prosessia.
Yhtiön mukaan uusimman polven DRAM-piirit ehtivät älypuhelinvalmistajille tämän vuoden jälkimmäisellä puoliskolla.
Siirtyminen tiheämpään prosessiin tarkoittaa, että samankokoiselta piikiekolta saadaan 25 prosenttia enemmän DRAM-piirejä. SK hynix näkee myös, että tuotannon tehostuminen näin auttaa myös paikkaamaan pahaa DRAM-piirien pulaa markkinoilla.
Ensimmäinen EUV-piiri siirtää dataa 4266 megahertsin nopeudella eli kyse on nopeimmasta DDR4-spesifikaatiosta. Ensi vuoden alussa SK hynix aikoo siirtää EUV-prosessinsa uusien DDR5-muisten valmistukseen.
Norjalainen Sensibel on esitellyt optiseen MEMS-tekniikkaan perustuvan SBM140B-mikrofonin, jonka dynamiikka yltää 136 desibeliin. Valmistajan mukaan vastaavaan suorituskykyyn ei päästä perinteisillä kapasitiivisilla MEMS-mikrofoneilla.
Suojattu flash-muisti tarjoaa verkkoon liitetyille laitteille ja järjestelmille laitteistopohjaisen suojauskerroksen ja täyttää NIST SP800-193 -ohjeistuksen mukaiset häiriönsietovaatimukset. Muistipiireihin erikoistuneen Winbondin kehittämä suojattu flash-piiri on myös suoraan korvaava ja täysin yhteensopiva tavanomaisten NOR-flash-piirien kanssa.