Tänä vuonna jo 70 prosenttia älypuhelinten muisteista on nopeaa UFS-tyyppiä (Universal Flash Storage) ja useimmiten vielä uusinta 3.1-standardia. Kioxian uusin muisti näyttää, mihin ollaan menossa: nopeus kasvaa 30-40 prosenttia ja samalla piirien paksuus – vai pitäisikö sanoa ohuus - putoaa alle yhteen millimetriin.
Kioxia ilmoitti aloittaneensa näytepiirien toimitukset uusissa 256 ja 512 gigatavun UFS-muisteissa, jotka tukevat standardin versiota 3.1. Piirit on pakattu koteloihin, joiden mitta korkeussuunnassa on 0,8 tai 1,0 millimetriä.
Tästä huolimatta suorituskyky nousee koko ajan. Kioxian mukaan uutuuksien nopeus satunnaisluvussa on 30 prosenttia parempi kuin edeltäjissään eli UFS 3.0 -piireissä. Satunnaiskirjoituksessa nopeus paranee 40 prosenttia.
JEDEC-järjestön UFS 3.1 -standardissa datankirjoitusta on nopeutettu luomalla muistiin uusi yhden solun välimuisti. Tämä toimii ikään kuin helposti käytössä olevana varamuistina. Tämä vie kuitenkin hyvin vähän tilaa, käytännössä yhden bitin jokaisessa solussa.
UFS 3.1 -muistiin on myös lisätty jännitteen säätimiä (regulaattoreita), joiden myötä tehonkulutusta on saatu pienennettyä sekä tallennuksen että muiden toimintojen aikana. Uusi standardi varoittaa myös isäntälaitetta, jos flash-tallennuksessa ilmenee ongelmia esimerkiksi lämpötilan nousun takia.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.