Korealainen SK hynix nokitti nopeasti Micronin 232-kerroksisen NAND-sirun. Hynixin uusin piiri on 238 metallointikerroksen ja 512 gigabitin siru. Yhtiö lupaa sen PC-tallennuslaitteisiin jo tänä vuonna. Sen jälkeen tekniikka tuodaan älypuhelimiin ja palvelinkoneiden SSD-levyille.
Uutuuspiiri on TLC-tyyppiä eli siinä tallennetaan kolme bittiä jokaiseen soluun. Tuloksena on paitsi markkinoiden korkein NAND-piiri, myös tallennustiheydeltään suurin.
SK hynixin edellisessä NAND-polvessa kerroksia oli 176. Uusi piiri parantaa tuotannon tehokkuutta 34 prosenttia, koska jokaisesta kiekosta voidaan valmistaa enemmän siruja, joiden tiheys on suurempi pinta-alayksikköä kohti.
238-kerroksisen piirin tiedonsiirtonopeus on 2,4 gigatavua sekunnissa, mikä on 50 prosenttia enemmän kuin edellisessä sukupolvessa. Tietojen lukemiseen kulutetun energian määrä on laskenut 21 prosenttia.