Samsung Electronics ilmoitti tänään aloittavansa yhdeksännen sukupolven V-NAND-piirien massatuotannon. Kyse on kolme bittiä yhteen muistisoluun tallentavista siruista, joiden kapasiteetti yltää sirutasolla terabittiin asti.
Uutuussiruja käytetään seuraavan sukupolven SSD-levyjen toteutukseen. Kun 9. polven piirien bittitiheys kasvaa noin 50 prosenttia edellispolveen verrattuna, on selvä että SSD-levyjen kapasiteetissa otetaan taas merkittävä hyppäys eteenpäin.
V-NAND on jo reilut 10 vuotta vanha tekniikka, sillä Samsung esitteli ensimmäiset V-NAND-piirit vuonna 2013. Niissä istutettiin ensimmäistä kertaa useita muistisoluja päällekkäin, mikä kasvatti paitsi datakapasiteettia samalla alalla, myöskin datanluvun ja -kirjoituksen nopeutta.
Uusilla siruilla hyödynnetään uuden polven NAND-liitäntää, joka tukee kolmanneksen suurempi datansyötön ja -luvun nopeuksia. Samsungin mukaan nopeus yltää jopa 3,2 gigabittiin sekunnissa.