Flash-muisteissa solujen kutistaminen tasossa on käynyt yhä hankalammaksi, joten jo pitkään valmistajat ovat kasvattaneet piirien tiheyttä pystysuunnassa. Nyt SK Hynix on esitellyt ensimmäisen NAND-piirinsä, jota se nimittää maailman ensimmäiseksi 4D-muistiksi.
4D on lähinnä markkinointitermi, sillä on vähän vaikea kuvitella, mikä se neljäs ulottuvuus olisi NAND-rakenteessa. Piirilllä on ensimmäistä kertaa peräti 128 metallointikerrosta. Vaikuttavaa on se, että Hynix sai piirin valmiiksi vain kahdeksan kuukautta 96 metallointikerroksen piirin kehityksen jälkeen.
Uudella rakenteella Hynix kuitenkin yltää peräti terabitin tiheyteen yhdellä sirulla. Kaikkiaan piirillä on 360 miljardia NAND-solua, joihin jokaiseen voidaan tallentaa kolme bittiä. Kyse on siis vanhasta TLC-arkitehtuurista (Triple Level Cell), jonka osuus tämän hetken NAND-tuotannosta on yli 85 prosenttia.
Terabitin piirin kehitys edellytti uusia innovaatioita erityisesti rakennustekniikassa. Hynix sanoo hyödyntäneensä esimerkiksi ultrahomogeenista pystysuoraa etsaustekniikkaa sekä korkean luotettavuuden monikerrosohutkalvojen muodostamista. Kyse on menetelmistä, joilla solujen rakenne saadaan konsistentiksi läpi koko rakenteen ilman, että valmistusprosessin vaiheita joudutaan jatkuvasti lisäämään.
Hynixin mukaan työn 128-kerroksinen piiri merkitsee sitä, että samalta kiekolta saadaan 40 prosenttia enemmän NAND-bittejä. Markkinoille uusi muisti tulee tämän vuoden jälkimmäisellä puoliskolla. Tavoitteena on esimerkiksi kahden teratavun SSD-levy ensi vuoden puolella.
Hynix sanoo jo työstävänsä NAND-piirejä, joiden rakenne perustuu 176 metallointikerrokseen.
Analog Devices päätti jokin aika sitten lopettaa yhteistyön englantilaisen jakelijan Anglia Componentsin kanssa. Tässä ei ole sinänsä mitään ihmeellistä, mutta Anglia suivaantui tästä niin paljon, että tuli julkisuuteen asian kanssa. Toimitusjohtaja Steve Rawlinsin mukaan ADI:n päätös rajoittaa asiakkaiden valinnanvaraa.
Murata on julkistanut maailman ensimmäisen yhteysmoduulin, joka tukee uutta SGP.32 Remote SIM Provisioning (RSP) -spesifikaatiota osana integroitua SIM-teknologiaa (iSIM). Tämä uusi ratkaisu pohjautuu Muratan innovatiiviseen Type 2GD Cat.M1/NB-IoT -yhteysmoduuliin, joka tukee ETSI/3GPP Release 17 -standardia, sekä Giesecke+Devrientin (G+D) korkeasti suojattuun SGP.32-yhteensopivaan SIM-käyttöjärjestelmään.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.