Samsung työstää jo seuraavaa huippumalliaan eli Galaxy S24 -sarjaansa, jota odotetaan julki tammikuussa. Nyt piilaaksolainen Navitas kertoo, että tämän hetken Galaxy S23 -puhelimissa Samsung on vihdoin siirtynyt latureissa galliumnitridi- eli GaN-pohjaisiin tehopiireihin.
GaN-tekniikan avulla laturit pystyvät käsittelemään enemmän virtaa, vaikka ne olisivat pienempiä, kevyempiä ja energiatehokkaampia. Markkinoille on tuoto jo GaN-latureita, jotka syöttävät virtaa puhelimen akkuun jopa 240 watin teholla.
Aivan näin suuria tehoja Samsung ei GaN-laturissaan käytä, vaan pikalaturi on 25-wattinen. Tälläkin teholla S23:n 3900 milliampeeritunnin akku täyttää 50-prosenttisesti vain 30 minuutissa. Laturi tukee lisäksi USB PD 3.0 -standardia, mikä tarkoittaa, että uusi laturi voi antaa virtaa useille laitteille Galaxy Buds2 audiosta Galaxy Z Fold5:een, Galaxy Flipiin ja Galaxy A23:een.
Samsung on laturipuolella ollut hyvin konservatiivinen, jopa varovainen suunnitteluissaan ja komponenttivalinnoissaan. Moni muistaa edelleen Galaxy Note 7 -katastrofin, jossa laitteen akku syttyi itsekseen tuleen monen käyttäjän käsissä.
Vuonna 2016 Samsung tutki hyvin laajasti Note 7:n kuumenemisongelmia ja vika paikannettiin tuotantoprosessiin. Note 7:n 3500 milliampeeritunnin akussa litiumia oli hieman yli gramman verran. Tyypillisessä 60 wattitunnin läppäriakussa litiumia on 4,8 grammaa. Ongelmana oli ja on edelleen litiumin voimakas reaktiivisuus, liiallinen kuumeneminen saa sen syttymään helposti.
Navitasin GaNFast-piirien ansiosta Samsung on kutistanut laturinsa yli kolmanneksen pienemmäksi. Piireissä on myös integroidut turvatekniikat, joilla latauspiirien lämpötilaa tarkkaillaan reaaliajassa.
