Puolijohdeyritys onsemi on esitellyt uuden sukupolven piikarbidi- eli SiC-pohjaiset mosfetit. Elite-SIC-sarjan M3e-uutuus tarkoittaa entistä energiatehokkaampia tehoratkaisuja, joita tarvitaan sekä sähköisessä liikkumisessa että ilmastonmuutoksen pysäyttämisessä.
Yhtiön mukaan EliteSiC M3e -mosfetilla on merkittävä rooli seuraavan sukupolven sähköjärjestelmien suorituskyvyn ja luotettavuuden mahdollistamisessa alhaisemmilla kustannuksilla kilowattia kohden. Alusta pystyy toimimaan korkeammilla kytkentätaajuuksilla ja jännitteillä minimoiden samalla voimansiirtohäviön. Tämän ansiosta piirejä voidaan käyttää useissa autoteollisuuden ja teollisuuden sovelluksissa, kuten sähköajoneuvojen voimansiirrossa, DC-pikalatureissa, aurinkoinverttereissä ja energian varastointiratkaisuissa.
Edellisiin sukupolviin verrattuna M3e-alustalla on mahdollista vähentää johtumishäviöitä 30 prosentilla ja poiskytkentähäviöitä 50 prosentilla. Pidentämällä planaari- eli tasomaisen SiC-mosfetin elinkaarta onsemi varmistaa alustan kestävyyden ja vakauden, mikä tekee siitä ensisijaisen valinnan kriittisille sähköistyssovelluksille.
M3e-mosfetit tarjoavat myös markkinoiden alhaisimman on-ominaisresistanssin (RSP), mikä on erittäin tärkeää piikarbidin tärkeimmillä markkinoilla eli autojen vetoinverttereissä. 1200 voltin M3e-siru tuottaa huomattavasti enemmän vaihevirtaa kuin aiempi EliteSiC-teknologia, mikä mahdollistaa 20 prosenttia suuremman lähtötehon samassa vetoinvertterikotelossa.
Onsemilla on myös laaja valikoima erilaisia älykkäitä tehoteknologioita, kuten porttiohjaimia, DC-DC-muuntimia, nopeatoimisia sulakkeita ja muita laitteita, jotka ovat yhteensopivia EliteSiC M3e -alustan kanssa. Onsemin optimoitujen, yhteistyössä suunniteltujen virtakytkinten, ohjainten ja säätimien yhdistäminen toisiinsa mahdollistaa integroinnin kautta edistyneet ominaisuudet, jotka alentavat järjestelmän kokonaiskustannuksia.
Jokaisessa uudessa piikarbidisukupolvessa kennorakenteita optimoidaan energiatiheyden kasvattamiseksi. Edistykselliseen pakkaustekniikkaan yhdistettynä onsemi pystyy maksimoimaan alustan suorituskyvyn ja pienentämään sen pakkauskokoa. Hyödyntämällä Mooren lain periaatteita piikarbiden kehityksessä onsemi voi kehittää useita piikarbidisukupolvia rinnakkain, mikä mahdollistaa useiden uusien EliteSiC-tuotteiden tuonnin nopeutetusti markkinoille vuoteen 2030 mennessä.
