Viime vuonna englantilaisen Quinasin kehittämä UltraRAM valittiin vuoden lupaavimmaks uudeksi muistitekniikaksi. Nyt tämä Lancasterin ja Cardiffin yliopistojen perustama startup on saanut 1,1 miljoonaa puntaa Innovate UK -kehitysrahastolta tekniikan viemiseksi eteenpäin massatuotantoon.
UltraRAM yhdistää DRAM-muistin korkean suorituskyvyn ja flashin haihtumattomuuden, minkä uskottiin yleisesti olevan mahdotonta. Sillä on kyky sekä tallentaa tietoja yli 1000 vuoden ajan eli pidempään kuin flashissa, että myös lukea ja kirjoittaa erittäin nopeasti ja pienemmällä energialla kuin DRAM.
Flashin tapaan UltraRAM hyödyntää resonanssitunneloinnin kvanttimekaanista vaikutusta ja korvaa flashin oksiditunnelin kolmoisesteisellä resonanssitunnelointirakenteella. Tämä eliminoi flashin puutteet ja mahdollistaa toiminnan erittäin alhaisella jännitteellä ja suurella nopeudella.
Toisin kuin piipohjaiset DRAM ja flash, UltraRAM käyttää III-V -ryhmien yhdistepuolijohteita (kuten GaSb, InAs ja AlSb). Piirit voidaan valmistaa volyymivalmistuksessa käyttämällä vakiintuneita prosesseja yhdistepuolijohde- ja piiteollisuudessa. InAs:n erittäin pieni elektronitehollinen massa avaa myös mahdollisuuden uudelle nopealle sulautetulle III-V-logiikalle, Quinas kertoo.
Pienen kapasitanssin ja matalajännitteisen ohjelmoinnin yhdistelmällä UltraRAM:n kytkentäenergia on 100 kertaa pienempi kuin DRAM-muistissa, 1000 kertaa pienempi kuin flash-muistissa ja yli 10000 kertaa pienempi kuin muilla uusilla muistitekniikoilla.
Siinä missä flashiin voidaan kirjoittaa dataa noin 10 000 kertaa (tämä on solujen fyysinen kesto), UltraRAM kestää kestää yli 10 miljoonaa kirjoitus-poispyyhintäjaksoa. Se on käytännössä ikuinen muisti useimmissa sovelluksissa.
Muistin kaupallistaminen ei kuitenkaan onnistu käden käänteessä. Uuden rahoituksen turvin aiotaan kehittää kapasiteettia yhdistepuolijohteiden galliumantimonidin ja alumiiniantimonidin kasvuun ensimmäistä kertaa. Yksivuotisen prosessin teollistamisprojektin tavoitteena on skaalata UltraRAM-kiekkojen halkaisijat 3-tuumaisista kuuteen tuumaan. Tämä saavutetaan käyttämällä valtavirran uusia epitaksiaaliprosesseja, joista on jo kokemusta volyymituotannossa.
