GaN eli galliumnitridi on vallannut monet tehoelektroniikan markkinat erityisesti pienemmissä jännitteissä ja tehoissa. Infineon alleviivaa nyt tekniikan menestyksen ilmoittamalla, että se on onnistunut kehittämään maailman ensimmäisen 300 millimetrin GaN-kiekkoteknologian.
Vuonna 2023 galliumnitridi (GaN) -sirujen tuotanto ja markkinoiden käyttöönotto kasvoivat huomattavasti niiden etujen ansiosta perinteisiin piipohjaisiin tehoelektroniikan komponentteihin verrattuna. GaN-sirut tarjoavat korkeamman hyötysuhteen, nopeammat kytkentäajat ja pienemmät muodot, mikä on lisännyt niiden kysyntää useilla aloilla, kuten kulutuselektroniikassa, autoissa ja uusiutuvan energian sovelluksissa.
Infineon on nyt ensimmäinen yritys maailmassa, joka hallitsee tämän uraauurtavan teknologian 300-millisillä kiekoilla. Läpimurto auttaa merkittävästi ohjaamaan GaN-pohjaisten tehopuolijohteiden markkinoita. Sirujen valmistus 300 millimetrin kiekoilla on huomattavasti tehokkaampaa kuin 200 millimetrin piikiekoilla, koska yhtä kiekkoa kohti voidaan valmistaa 2,3-kertainen määrä siruja.
GaN-pohjaiset tehopuolijohteet otetaan nopeasti käyttöön teollisuudessa, autoteollisuudessa ja kuluttaja-, laskenta- ja viestintäsovelluksissa, mukaan lukien tekoälyjärjestelmien virtalähteet, aurinkoinvertterit, laturit ja sovittimet sekä moottorinohjausjärjestelmät. Huippuluokan GaN-valmistusprosessit parantavat laitteiden suorituskykyä, mikä johtaa etuihin loppuasiakkaiden sovelluksissa, koska se mahdollistaa tehokkuuden, pienemmän koon, kevyemmän painon ja alhaisemmat kokonaiskustannukset. Lisäksi 300 mm:n valmistus takaa erinomaisen asiakastoimitusten vakauden skaalautuvuuden ansiosta.
Infineonin toimitusjohtaja Jochen Hanebeck iloitsee saavutuksesta 300-millisen GaN-kiekon kanssa. - Teknologinen läpimurto mullistaa koko tehoelektroniikan markkinat ja antaa meille mahdollisuuden vapauttaa galliumnitridin koko potentiaali. Lähes vuosi GaN Systemsin hankinnan jälkeen osoitamme jälleen, että haluamme olla johtaja nopeasti kasvavilla GaN-markkinoilla, Hanebeck hehkuttaa,
Infineon on onnistunut valmistamaan 300 mm:n GaN-kiekkoja integroidulla pilottilinjalla nykyisessä 300 mm:n tehtaassaan Itävallan Villachissa. Yhtiö kertoo skaalaavansa GaN-kapasiteettia markkinoiden tarpeiden mukaan.
