Mikropiirien purkuanalyysejäkin tekevä TechInsights on löytänyt Samsungin D1b-sukupolven DRAM-sirun ja vahvistanut sen solukoon. Sirulle saadaan ahdettua gigabitti dataa 2,294 neliömillin alalle.
16 gigabitin D1b-prosessissa valmistettu LPDDR5X DRAM -piiri löydettiin DRAM-moduulista, joka oli osa Vivon purettua X200 Pro Satellite -puhelinta. Sirulla tallennustiheys on 0,436 gigabittiä/mm² ja sen fyysinen koko on vain 36,68 mm².
TechInsightsin mukaan Samsung on onnistunut pienentämään DRAM-solukokoa merkittävästi, jopa pienemmäksi kuin SK hynixin D1b- ja Micronin D1β-piireissä. Samsungin D1b:llä wordline- ja bitline-etäisyydet ovat TEM-analyysin mukaan 32,6 ja 37,6 nanometriä. Piirin kuvioiden viivanleveydeksi TechInsights määrittelee 12,54 nanometriä.
Samsung on hyödyntänyt D1b-sukupolvessa toisen kerran EUV-litografiaa. Analyysin perusteella odotetaan, että Samsung vie seuraavan D1c-sukupolven solukoon jopa alle 11 nanometriin tai jopa 10 nanometrin luokkaan, mikä olisi ensimmäinen kerta DRAM-siruissa.
Kuva: DRAM-sukupolvien roadmap (TechInsights).
Teknologia19 – Aalto-yliopiston kyberturvallisuusprofessori Jarno Limnéll uskoo, että luotettavuudesta voi tulla suomalaisten yritysten suurin myyntivaltti tulevaisuudessa. – Tärkein kysymys on tulevaisuudessa, kehen ja mihin voimme luottaa. Luottamuksesta on tulossa hyvin arvokas aineeton pääoma yrityksille, Limnéll sanoi eilen messukeskuksessa.
