Dell on siirtynyt uuteen aikakauteen kannettavien tietokoneidensa virtalähderatkaisuissa, jättämällä taakseen perinteiset piipohjaiset laturit ja ottamalla käyttöön Navitas Semiconductorin kehittämän galliumnitridiin (GaN) ja piikarbiditeknologiaan (SiC) perustuvan latausteknologian. Uudet, tehokkaammat ja ekologisemmat laturit kattavat laajan tehoalueen 60 watista aina 360 wattiin saakka.
Navitasin GaNFast-teknologia mahdollistaa huomattavasti korkeamman taajuuden ja tehokkuuden virtamuunnoksessa, mikä tarkoittaa, että uudet laturit tarjoavat jopa kolminkertaisen tehon ja latausnopeuden puoleen aiemmasta koosta ja painosta verrattuna perinteisiin piipohjaisiin virtalähteisiin. Yhdessä GeneSiC-piikarbiditeknologian kanssa laturit takaavat korkean suorituskyvyn, pienen lämpökuorman ja erinomaisen energiatehokkuuden.
Uudet laturit tukevat myös Dellin kestävän kehityksen tavoitteita. Niiden kuoret sisältävät jopa 50 prosenttia vähemmän muovia ja on valmistettu kierrätysmateriaaleista, mikä vähentää energiankulutusta ja optimoi resurssien käytön. Navitasin GaNFast- ja GeneSiC-teknologiat vähentävät komponenttimäärää ja laitteen kokoa, mikä alentaa hiilijalanjälkeä tuotannossa, pakkauksessa ja logistiikassa. Jokainen toimitettu GaNFast-piiri säästää 4 kg hiilidioksidipäästöjä ja jokainen SiC MOSFET jopa 25 kg verrattuna perinteisiin piisiruihin.
Navitasin toimitusjohtaja ja perustaja Gene Sheridanin mukaan Dellin ensimmäinen Navitasin piireihin perustuvat GaN-laturi tuli markkinoille jo vuonna 2020. - Siitä lähtien olemme yhdessä kehittäneet latausteknologian nopeutta, tehokkuutta, kokoa, painoa ja nyt myös ekologisuutta.
Dellin uudet laturit tukevat myös yhtiön uusimpia AI-kannettavia, jotka sisältävät erilliset Neural Processor Unit (NPU) -suorittimet AI-laskennan ja -tehtävien hallintaan. Dellin panostus GaN-teknologiaan on tehnyt siitä laajimman GaN-laturitarjonnan omaavan kannettavien tietokoneiden valmistajan maailmassa.
