Gallium-nitridi (GaN) on noussut tehoelektroniikan seuraavan sukupolven avainteknologiaksi. Yole Groupin tuore Power GaN 2025 -raportti ennustaa markkinan kasvavan noin 3 miljardin dollarin arvoiseksi vuoteen 2030 mennessä. Nykyisestä markkina kasvaa näin kuusinkertaiseksi.
Keskimääräinen vuotuinen kasvuvauhti on peräti 42 prosenttia, mikä tekee GaN:stä yhden nopeimmin kasvavista puolijohdesegmenteistä koko elektroniikkateollisuudessa.
Nopeiden laturien ja mobiililaitteiden kuluttajamarkkina on ollut GaN:n kasvun moottori. Nämä sovellukset muodostavat edelleen yli puolet koko markkinasta vuoteen 2030 mennessä. GaN:n korkea hyötysuhde ja kompakti rakenne ovat tehneet siitä houkuttelevan vaihtoehdon perinteisille piipohjaisille tehopiireille erityisesti suuritehoisissa USB-C-latureissa ja mobiililaitteiden virransyötöissä.
Seuraava kasvuaalto on kuitenkin jo käynnissä. Autoteollisuudessa ja sähköisessä liikkumisessa GaN:n käyttöönotto etenee nopeasti, vaikka sähköautojen markkinan hidastuminen on aiheuttanut lyhytaikaista viivettä. Yolen mukaan tämä segmentti kasvaa kuitenkin keskimäärin 73 prosenttia vuodessa vuoteen 2030 saakka. Ensimmäiset GaN-pohjaiset laturit ja mikroinvertterit – kuten Enphase Energyn ja Changan Automobilen julkaisut – on jo nähty.
Myös datakeskukset ovat nousseet GaN-teknologian seuraavaksi suureksi kasvualustaksi. Tekoälyn, pilvipalvelujen ja globaalin tietoliikenteen nopea kasvu lisää merkittävästi datakeskusten energiankulutusta. GaN tarjoaa selkeän etulyöntiaseman yli 3 kW:n virtalähteissä: se parantaa hyötysuhdetta, vähentää lämpöhäviöitä ja pienentää järjestelmien kokoa.
Vuonna 2025 NVIDIA käynnisti uuden datakeskusarkkitehtuurinsa myötä yhteistyön useiden tehopuolijohdejättien – kuten Texas Instrumentsin, Infineonin, Navitaksen, Innosciencen ja onsemin – kanssa. Näiden kumppanuuksien tavoitteena on tuoda GaN osaksi 800 V HVDC-virtajärjestelmiä, ja ensimmäisiä kaupallisia käyttöönottoja odotetaan jo vuonna 2027. Yolen mukaan datakeskus- ja telekom-segmentit voivat yhdessä tuottaa yli 380 miljoonan dollarin GaN-tulot vuoteen 2030 mennessä.
Tehoelektroniikan arvoketju on samalla voimakkaassa murroksessa. Yole arvioi, että markkina siirtyy kohti IDM-malleja, joissa yritykset hallitsevat koko valmistusketjun sirusta valmiiseen tuotteeseen. Samalla foundryt eli sopimusvalmistajat laajentavat kapasiteettiaan, mikä luo monimuotoisen ja joustavan toimitusverkoston.
GaN:n yleistyminen merkitsee tehopiirien markkinoiden suurinta rakennemuutosta vuosikymmeneen. Kun energiatehokkuus ja kestävyys nousevat teollisuuden ytimeen, gallium-nitridi on vahvasti asemassa ohjaamassa koko globaalia energiamurrosta.
