Rutronik ja Bosch ovat julkaisseet uuden teknisen dokumentin, joka avaa poikkeuksellisen yksityiskohtaisesti seuraavan sukupolven piikarbiditekniikkaa. Paperi kattaa kaiken MOSFET-arkkitehtuurista kiekkokokoluokan muutokseen ja kosmisen säteilyn aiheuttamien vikojen hallintaan.
Dokumentti kokoaa yhteen Boschin yli 20 vuoden SiC-kehityksen ja tarjoaa suunnittelijoille konkreettisia näkymiä siihen, miten tehokkaammat ja kestävämmät tehoelektroniikan ratkaisut rakennetaan tuleville 400/800 voltin sähköalustoille. Whitepaper on ladattavissa ilmaiseksi Rutronikin kautta.
Boschin keskeinen innovaatio on kaksikanavainen trench -MOSFET-teknologia, jossa jokaisessa pystysuorassa kaivossa (trench) kulkee kaksi rinnakkaista kanavaa. Tämä pudottaa kanavaresistanssin puoleen ja nostaa tehotiheyttä ilman, että porttioksidin luotettavuudesta tingitään. Dolumentissa esitetyt mittaukset osoittavat, että portin vuoto on erittäin alhainen ja kynnyssähköjännite pysyy vakaana jopa 200 °C lämpötiloissa
Lisäksi uusin sukupolvi tarjoaa pehmeän diodin palautuksen kaikissa lämpötiloissa ja välttää parasiittisen johtumisen (parasitic turn-on) jopa nopeissa dV/dt-kytkennöissä, mikä tekee rakenteesta erittäin soveltuvan auton vetoakseleiden inverttereihin
Erityishuomiota saa myös SiC-komponenttien kestävyys, jota Bosch on parantanut jokaisessa sukupolvessa. Dokumentti sisältää harvinaisen avoimen analyysin kosmisten neutronien aiheuttamista riskeistä ja osoittaa, kuinka toisen sukupolven sirut ovat yli satakertaisesti kestävämpiä kuin ensimmäisen polven laitteet
Dokumentissa käsitellään perusteellisesti myös siirtymistä SiC-kiekkojen tuotannossa 150 millimetrin kirkoista 200millisiin. Lopussa käydään läpi Boschin SiC-portfolion uusin kokoonpano. Kaiken kaikkiaan kyse on yhdestä kattavimmista julkisista SiC-teknologian läpileikkauksista, joka yhdistää sirurakenteen, materiaalitieteen, luotettavuuden ja valmistusteknologian samaan kokonaisuuteen. Sähköautojen tehoelektroniikan suunnittelijoille dokumentti on lähes pakollista luettavaa.
Dokuentin pääset lukemaan täällä.
