Moskovalaisen MIPT-instituutin (Moscow Institute of Physics and Technology) tutkijat yhteistyökumppaneineen ovat onnistuneet magnetosähköisen satunnaismuistin eli MELRAMin demonstraatiossa. Magnetosähköinen muisti voi mahdollistaa merkittävät energiansäästöt sekä laitteiden välittömän käynnistymisen eli ne kykenevät ylläpitämään tilansa ilman virkistystä.
Demonstraatiossa tutkijat esittelivät muistisolun, joka vähentää bittien luennan ja kirjoittamisen energiankulutuksen 10000-osaan tai jopa enemmän.
MELRAM kostuu magnetoelastisen ja piestosähköisen materiaalien kerroksista. Pietsomateriaalilla muokataan magnetoelastisen materiaalin magneettisuutta kahteen eri suuntaan.
- Rakensimme testikappaleen noin yhden millimetrin kokoon ja osoitimme, että se toimii. On syytä huomata, että käyttämämme rakenteet voisivat toimia nanokokoisten muistisolujen perustana, joiden mitat ovat samat kuin RAM-soluilla, sanoo MIPT:n tohtoriopiskelija Anton Churbanov.
Tällä kertaa tutkimus suuntautui erityisesti datan luentamekanismiin, joka tarjoaa vaihtoehdon aiemmissa MELRAM-soluissa käytetyille magneettikentän antureille, jotka eivät mahdollista helppoa skaalausta.
Itse magnetosähköinen vuorovaikutus sisältää koodatun informaation lukemisen mahdollisuuden. Teknisesti siinä hyödynnetään luetun muistisolun arvon uudelleen tekoa.
Manchesterin yliopiston tutkijat ovat puolestaan osoittaneet, että datan tallentaminen molekyyleihin, jotka tunnetaan yksimolekyylisinä magneetteina, on aikaisempaa helpommin toteutettavissa.
Tutkimukset osoittavat, että magneettinen hystereesi eli muistiefekti, joka on edellytys kaikelle datan varastoinnille, on mahdollista yksittäisissä molekyyleissä -213 asteen lämpötilassa. Tämä on varsin lähellä nestemäisen typen lämpötilaa (-196 °C), joka olisi teknisesti paljon halvempi jäähdytysratkaisu ja esimerkiksi suurissa datakeskuksissa toteutettavissa.
Veijo Hänninen
Nanobittejä 12.9.2017
