Piipohjainen tehoelektroniikka on palvelut laitevalmistajia pitkään, mutta nyt tarjolle on tullut tekniikka, joka on kypsynyt markkinoille ottamaan piin paikan. Kyse on tietenkin galliumnitridistä. STMicroelectronics uusi integroitu laturipiiri näyttää, mihin ollaan menossa.
ST:n uusi MasterGaN on laturialusta, jossa ensimmäistä kertaa maailmassa samaan koteloon on yhdistetty half-bridge -ohjain GaN-transistoreihin. Yhdistelmän avulla laitevalmistajat saavat toteutettua latureita, jotka ovat 80 prosenttia perinteisiä pienempiä, 70 prosenttia kevyempiä ja lataavat laitteita kolmen kertaa nopeammin.
MasterGaN-alusta nopeuttaa uuden sukupolven kompaktien ja tehokkaiden laturien ja virtalähteiden luomista kuluttaja- ja teollisuussovelluksiin. MasterGaN-laturien teho yltää aina 400 wattiin asti.
GaN-tekniikan avulla laturit pystyvät käsittelemään enemmän virtaa, vaikka ne olisivat pienempiä, kevyempiä ja energiatehokkaampia. Tehokapasiteetti riittää puolestaan hyvin moniin laitteisiin älypuhelimista tietokoneisiin ja pelikonsoleihin sekä teollisiin sovelluksiin, kuten aurinkoenergian varastointijärjestelmiin, UPS-laitteisiin ja pilvipalvelimiin.
Nykypäivän GaN-markkinoita palvelevat tyypillisesti erilliset tehotransistorit ja ohjainpiirit, jotka vaativat suunnittelijoiden oppimaan saamaan ne toimimaan yhdessä parhaan suorituskyvyn saavuttamiseksi. MasterGaN-konsepti ohittaa tämän haasteen, mikä nopeuttaa laitteiden valmistumista ja parantaa suorituskykyä.
Uuden alustan ensimmäinen tuote on MasterGaN1, joka sisältää kaksi HEMT-tyyppistä GaN-virtatransistoria. MasterGaN1 sisältää kaksi normaalisti pois päältä olevaa transistoria, joissa on tarkasti sovitetut ajoitusparametrit, 10A maksimivirta ja 150mΩ vastus. Loogiset tulot ovat yhteensopivia 3,3 V - 15 V signaalien kanssa.
9 x 9 millimetrin GQFN-koteloon pakattu MasterGaN1-piiri on jo tuotannossa ja sen hinta on volyymeissä 7 dollaria kappale. Lisätietoja ST:n sivuilta.
