Kännykkälaturit galliumnitridi-piireillään mullistanut Navitas Semiconductor on julkistanut maailman ensimmäisen 8,5 kilowatin teholähteen, joka toimii GaN- ja SiC-tekniikoilla. Tällä yhdistelmällä datakeskuslaitteiden hyötysuhde on saatu nostettua 98 prosenttiin.
Tekoälylle optimoitu 54 V:n lähtövirtalähde noudattaa Open Compute Project (OCP)- ja Open Rack v3 (ORv3) -spesifikaatioita ja käyttää suuritehoisia GaNSafe- ja Gen-3 Fast SiC -MOSFET-piirejä, jotka on konfiguroitu 3-vaiheisiin lomitettuihin PFC- ja LLC-topologioihin. Näin varmistetaan mahdollisimman suuri tehokkuus ja suorituskyky, sekä pienin komponenttimäärä.
Teholähteessä siirtyminen 3-vaiheiseen topologiaan sekä PFC:lle että LLC:lle (verrattuna kilpailevien virtalähteiden käyttämiin 2-vaiheisiin topologioihin) mahdollistaa alan pienimmän aaltoiluvirran ja EMI-häiriöt. Powerin tulojännitealue on 180 - 264 Vac, valmiustilan lähtöjännite 12 V ja käyttölämpötila -5… +45 astetta. Sen pitoaika 8,5 kW:lla on 10 ms, ja 20 ms mahdollista jatkeen kautta.
3-vaiheisen LLC- eli resonaattorimuunnintopologian mahdollistaa suuritehoinen GaNSafe-piiri, joka on luotu erityisesti vaativiin, suuritehoisiin sovelluksiin, kuten tekoälyn palvelinkeskuksiin ja teollisuusmarkkinoille. Navitasin 4. sukupolvi integroi sirulle ohjaus-, käyttö-, tunnistus- ja kriittiset suojausominaisuudet, jotka parantavat luotettavuutta ja kestävyyttä.
Teknologia19 – Aalto-yliopiston kyberturvallisuusprofessori Jarno Limnéll uskoo, että luotettavuudesta voi tulla suomalaisten yritysten suurin myyntivaltti tulevaisuudessa. – Tärkein kysymys on tulevaisuudessa, kehen ja mihin voimme luottaa. Luottamuksesta on tulossa hyvin arvokas aineeton pääoma yrityksille, Limnéll sanoi eilen messukeskuksessa.
