Sähköautojen yleistyminen kiihtyy kovaa vauhtia, ja samalla kasvaa tarve tehokkaille ja luotettaville tehoelektroniikkaratkaisuille. Vaikka markkinoilla on viime vuosina puhuttu paljon piikarbidin (SiC) ja galliumnitridin (GaN) kaltaisista uusista puolijohdemateriaaleista, Infineon Technologies osoittaa, että myös perinteisellä piillä on edelleen merkittävä rooli sähköajoneuvojen voimansiirroissa.
Infineon esitteli tänään uuden sukupolven piipohjaisia IGBT- ja RC-IGBT-siruja, jotka on suunniteltu erityisesti 400 V ja 800 V sähköajoneuvojärjestelmiin. Yhtiön kolmannen sukupolven EDT3-sirut tarjoavat jopa 20 prosenttia pienemmät kokonaisenergiatappiot suurilla kuormilla verrattuna edeltäjiinsä, samalla kun ne säilyttävät hyvän hyötysuhteen kevyessä ajossa. Tämä tarkoittaa pidempää ajomatkaa ja pienempää energiankulutusta sähköautoille.
EDT3-sirut ovat saatavilla 750 V ja 1200 V jänniteluokissa ja soveltuvat erityisesti sähköautojen pääinverttereihin – olipa kyseessä täyssähköauto, ladattava hybridi tai laajennetun toimintasäteen sähköajoneuvo. Sirujen pienempi koko ja optimoitu rakenne mahdollistavat kompaktimmat tehomoduulit ja alemmat järjestelmäkustannukset. Lisäksi jopa 185 °C kesto mahdollistaa tehokkaamman ja luotettavamman voimansiirron suunnittelun.
Uusi 1200 V RC-IGBT yhdistää IGBT- ja dioditoiminnot samalle sirulle, mikä tuo lisää virrantiheyttä ja alentaa kokoonpanokustannuksia. Molemmat sirutyypit tarjoavat räätälöityjä layout-vaihtoehtoja ja useita metallointivaihtoehtoja, kuten sintraus, juottaminen ja lankakiinnitys.
Vaikka SiC-tekniikka yleistyy erityisesti korkean suorituskyvyn sovelluksissa, Infineonin ratkaisut osoittavat, että pii ei ole vielä menettänyt merkitystään. Piipohjaiset IGBT:t tarjoavat edelleen kilpailukykyisen yhdistelmän suorituskykyä, kustannustehokkuutta ja luotettavuutta – ja tulevat olemaan keskeinen osa sähköautojen kehitystä vielä pitkään.
