Infineon Technologies on saanut merkittävän voiton pitkään jatkuneessa galliumnitridiin eli GaN-teknologiaan liittyvässä patenttikiistassa kiinalaista Innoscience vastaan.
USA:n kauppakomissio päätti vahvistaa joulukuussa annetun alustavan ratkaisun, jonka mukaan Innoscience loukkasi Infineonin GaN-patenttia. Samalla komissio määräsi Innosciencen GaN-tuotteille tuonti- ja myyntikiellon Yhdysvalloissa. Päätös siirtyy vielä 60 päivän presidentilliseen tarkasteluun.
Infineonin mukaan päätös vahvistaa yhtiön asemaa alan tärkeimpien GaN-patenttien haltijana. Yhtiö kertoo omistavansa noin 450 GaN-patenttiperhettä.
Kyse ei ole ensimmäisestä kierroksesta valmistajien välisessä kiistassa. Infineon ja Innoscience ovat jo vuosien ajan käyneet oikeutta eri markkinoilla, ja ratkaisut ovat vaihdelleet osapuolelta toiselle. Saksassa Münchenin alueoikeus löysi jo viime vuonna Innosciencen rikkoneen yhtä Infineonin patenttia. Uusia oikeudenkäyntejä on luvassa vielä tämän vuoden aikana.
Taustalla on nopeasti kasvava GaN-markkina. Galliumnitridi on noussut yhdeksi tärkeimmistä uusista tehopuolijohdemateriaaleista erityisesti AI-datakeskuksissa, sähköautoissa, uusiutuvan energian järjestelmissä ja teollisuuselektroniikassa. GaN-komponentit mahdollistavat pienemmät häviöt, nopeamman kytkennän ja kompaktimmat virtalähteet kuin perinteinen pii.
Samalla kilpailu markkinasta on kiristynyt nopeasti. Eurooppalaiset ja yhdysvaltalaiset valmistajat ovat investoineet voimakkaasti omaan GaN-kehitykseensä, kun taas kiinalaiset toimijat ovat pyrkineet markkinoille aggressiivisella hinnoittelulla ja suurella tuotantokapasiteetilla.
Patenttikiistat muistuttavatkin yhä enemmän älypuhelinmarkkinoiden patenttisotia 2010-luvulla. Nyt vastaava taistelu käydään tehopuolijohteista, joita pidetään strategisesti tärkeinä komponentteina AI-infrastruktuurissa ja sähköistymisessä.
