Donald Trumpin hallinnon voimakas pyrkimys palauttaa puolijohteiden tuotantoa Yhdysvaltoihin alkaa näkyä konkreettisina muutoksina siruteollisuuden toimitusketjuissa. Tehopuolijohteita kehittävä Navitas Semiconductor aloittaa tässä kuussa uusimpien GaN-piiriensä valmistuksen Globalfoundriesin tehtaalla Vermontissa.
Navitas ja Globalfoundries sopivat pitkäaikaisesta yhteistyöstä marraskuussa 2025. Nyt ensimmäiset Navitaksen tuotteita varten valmistetut kiekot ovat lähdössä Globalfoundriesin tuotannosta.
Ratkaisu osuu suoraan Trumpin hallinnon puolijohdepolitiikan ytimeen. Yhdysvallat pyrkii vähentämään riippuvuuttaan Aasiassa valmistettavista puolijohteista ja niiden toimitusketjuista sekä kasvattamaan kotimaista tuotantoa. Trumpin hallinto on käyttänyt tähän muun muassa tullipolitiikkaa ja sitonut tuontiehtoja Yhdysvalloissa tapahtuvaan valmistukseen ja investointeihin.
Navitaksen tapauksessa kyse ei ole vain kokoonpanon tai testauksen siirtämisestä Yhdysvaltoihin. Varsinaiset GaN-puolijohdekiekot valmistetaan Globalfoundriesin Burlingtonin tehtaalla 200 millimetrin GaN-on-silicon-prosessilla.
Yhtiöt korostavat myös toimitusvarmuutta. Navitaksen toimitusjohtajan Chris Allexandren mukaan yhteistyö luo yhtiölle yhdysvaltalaisen tuotantolähteen nykyiselle GaN-teknologialle ja sen tuleville sukupolville. Kohteina ovat erityisesti tekoälydatakeskusten tehonsyöttö, suurteholaskenta sekä muut kriittiset sovellukset.
Ensimmäisenä Vermontissa valmistukseen siirtyy Navitaksen viidennen sukupolven GaNFast-teknologia. Tuoteperheeseen kuuluu 650 voltin GaN-FET-transistoreita, joiden RDS(on)-arvot ulottuvat 11 milliohmista 150 milliohmiin. Ensimmäiset kiekot toimitetaan syyskuussa, Navitaksen sisäiset näytteet lokakuussa ja ensimmäiset strategisille asiakkaille tarkoitetut näytteet ennen vuodenvaihdetta.
Suojattu flash-muisti tarjoaa verkkoon liitetyille laitteille ja järjestelmille laitteistopohjaisen suojauskerroksen ja täyttää NIST SP800-193 -ohjeistuksen mukaiset häiriönsietovaatimukset. Muistipiireihin erikoistuneen Winbondin kehittämä suojattu flash-piiri on myös suoraan korvaava ja täysin yhteensopiva tavanomaisten NOR-flash-piirien kanssa.