Micron on esitellyt uuden 512 gigatavun DDR5 RDIMM -muistimoduulin, jonka avulla kaksikantaiseen palvelimeen voidaan asentaa jopa 12 teratavua keskusmuistia. Uutuus yltää jopa 9 200 MT/s:n siirtonopeuteen.
512 gigatavun kapasiteetti perustuu DRAM-piirien pinoamiseen päällekkäin. Piirit yhdistetään toisiinsa piin läpi kulkevilla TSV-liitännöillä (Through-Silicon Via), minkä ansiosta yhteen muistimoduuliin voidaan pakata huomattavasti aiempaa enemmän muistia.
Täyteen varustetussa 24 muistipaikan kaksikantaisessa palvelimessa 512 gigatavun moduulit nostavat DDR5-muistin kokonaiskapasiteetin 12 teratavuun. Suuri kapasiteetti on suunnattu etenkin tekoälyyn, analytiikkaan, muistissa toimiviin tietokantoihin, simulointiin ja virtualisointiin.
Suurempi paikallinen muisti mahdollistaa myös suurempien tietoaineistojen pitämisen suoraan DRAMissa. Näin prosessorin tarvitsemia tietoja ei tarvitse yhtä usein hakea hitaammilta tallennustasoilta.
Micronin mukaan yksi 512 gigatavun moduuli kuluttaa käytössä 16 wattia. Neljän 128 gigatavun moduulin yhteenlaskettu kulutus on 44,2 wattia, joten samalla 512 gigatavun kapasiteetilla käyttöteho pienenee yli 60 prosenttia. Muistisidonnaisissa Spark SVM -analytiikkakuormissa Micron kertoo saavuttaneensa jopa 1,4-kertaisen suorituskyvyn 256 gigatavun DDR5-kokoonpanoihin verrattuna.
AMD ja Intel validoivat parhaillaan 512 gigatavun RDIMM-moduulia seuraavan sukupolven palvelinalustoilleen. Micron arvioi volyymituotannon alkavan vuoden 2027 jälkipuoliskolla.
Anritsu tuo verkon suorituskyvyn mittauksen paikkoihin, joihin fyysisiä testilaitteita on hankala viedä. Virtual Network Master -ratkaisun ohjelmistopohjaisilla testipisteillä voidaan mitata datakeskus-, pilvi-, 5G- ja edge-yhteyksien välityskykyä, latenssia, viivevaihtelua ja kehyshäviöitä.
