Samsung on esitellyt Piilaakson Hot Chips -tapahtumassa, kehittäneensä markkinoiden ensimmäisen 7200 megahertsin nopeudella toimivan DDR5-muistin, jonka kapasiteetti on peräti 512 gigatavua. Nykyisiin DDR4-muisteihin verrattuna uutuus tuo 40 prosenttia paremman suorituskyvyn ja kaksinkertaisen kapasiteetin.
Samsungin DDR5-7200-moduuli perustuu kahdeksaan pinottuun DDR5-siruun, jotka on yhdistetty TSV-läpivienneillä DDR4-moduuleissa rajoituksena oli neljä sirua, joten hyppäys eteenpäin kapasiteetissa on merkittävä. Tästä huolimatta DDR5-moduuli korkeus on vain 1,0 millimetriä, kun aiemman DDR4-pinon korkeus oli 1,2 milliä.
DDR5-7200-moduuli toimii 1,1 voltin jännitteellä. Samsungin mukaan moduulin tehonhallitapiiri ei ainoastaan alenna jännitettä, vaan myös pienentää kohinaa. Piireillä on DDR-määritysten mukainen virheenkorjaus, joka varmistaa luotettavamman ja turvallisemman tiedonkäsittelyn.
512 gigatavun moduuli on suunnattu datakeskus- ja palvelinmarkkinoille. Samsungin mukaan kuluttajien DDR5-muisteissa kapasiteetti tulee todennäköisesti yltämään 64 gigatavuun. Kuluttajalaitteisiin DDR5 tullee aikaisin ensi vuonna, kun Intel ja AMD saavat DDR5-tekniikkaa tukevat prosessorinsa markkinoille.
Samsung odottaa DDR5-7200 512 Gt: n muistimoduuliensa massatuotannon alkavan vuoden 2021 loppuun mennessä. Yhtiö uskoo, että DDR5:n nousu muistien valtavirraksi tapahtuu vasta vuonna 2023 tai 2024.