Eilen kerroimme, että ADATA oli aloittanut DDR5-määrityksiä tukevien DRAM-moduulien tuotannon. Myös Samsung on aloittanut muistien volyymituotannon. Prosessi on 14 nanometriä ja transistorikuviot valotetaan EUV-laitteistolla. Muistin nopeus kasvaa yli kaksinkertaiseksi.
14 nanometrin on hyvin edistynyt DRAM-prosessi. DRAM-piireissä valmistusprosessi ei ole kehittynyt yhtä nopeasti kuin logiikkapiireissä, joissa tänä vuonna on siirrytty jo 5 nanometrin viivanleveyteen.
Kun DRAM-piirien tuotannossa lähestytään 10 nanometrin rajaa, EUV-tekniikoista tulee yhä tärkeämpiä, jotta kuvioinnit saadaan riittävän tarkoiksi. Samsungin mukaan tämä on tärkeää sekä suorituskyvyn että saannon kannalta.
14 nanometrin DDR5-piirinsä Samsung valmistaa valottamalla kuviot EUV-tekniikalla eli 13 nanometrin laserilla viisi kertaa. Viidellä kerroksella päästään parhaimpaan bittitiheyteen ja samalla tuottavuus paranee noin viidenneksen. Lisäksi 14 nanometrin DRM-piiri kuluttaa energiaa lähes 20 prosenttia vähemmän kuin Samsungin aiempi DRAM-prosessi.
Samsungin mukaan uusi prosessi ja DDR5-määritykset mahdollistavat sen, että muisteilta voidaan siirtää dataa prosessorilla 7,2 gigabitin sekuntinopeudella. Tämä on yli kaksi kertaa nopeammin kuin DDR4-muistien 3,2 gigabittiä sekunnissa.
Samsung aikoo laajentaa DDR5-valikoimaansa datakeskuksiin, yrityspalvelimiin ja supertietokoneisiin. Lisäksi 14 nanometrin piirien tiheys nostetaan nopeasti 24 gigabittiin.