Yksi kolmesta suuresta NAND-piirien valmistajasta eli amerikkalainen Micron Technology ilmoittaa ryhtyneensä toimittamaan asiakkailleen maailman tähän asti edistyneimpiä NAND-siruja. Uutuus perustuu peräti 232 metallointikerrokseen eli kyse on todellisesta flash-piirien ”pilvenpiirtäjästä”.
Sirulla on tähän asti suurin tallennustiheys sirualaa kohti. Se tuo suuremman kapasiteetin ja parannetun energiatehokkuuden edellisiin Micronin NAND-sukupolviin verrattuna. - 232-kerroksinen NAND on vedenjakaja tallennusinnovaatioille. Samalla piiri osoittaa, ett 3D NAND -tekniikka voidaan skaalata yli 200 kerrokseen, sanoo Micronin teknologiajohtaja Scott DeBoer.
232 kerroksen teknologia tuottaa samalla markkinoiden nopeimman I/O-nopeuden NAND-siruissa. Data siirtyy peräti 2,4 gigatavua sekunnissa. Tämä on 50 prosenttia nopeammin kuin edellispolven 176 kerroksen NAND-piireissä. Datanlukukaista kasvaa yli 75 prosenttia suuremmaksi.
Micronin 232-kerroksinen NAND on ensimmäinen tuotannossa, joka mahdollistaa NV-LPDDR4-muistien pienjännitevaatimukset. Tämän seurauksena 232-kerroksiset NAND-ratkaisut tarjoavat ihanteellisen tuen mobiilisovelluksille.
Tallennustiheys siruilla on 14,6 gigabittiä neliömilliä kohti. Tämä on 35-100 prosenttia suurempi kuin vastaavissa TLC-tyyppisissä eli kolme bittiä samaan soluun tallentavissa NAND-piireissä.