DRAM on varsin vakiintunut muistitekniikka, johon on viime vuosina tuotu harvoin uusia ratkaisuja. San Josen Flash Memory Summit -tapahtumassa sellainen kuitenkin esiteltiin. Asialla oli startup Neo Semiconductor ja uusi tekniikka on nimeltään X-DRAM.
X-DRAMin odotetaan vaikuttavan merkittävästi maailmanlaajuisiin DRAM-markkinoihin. Yhtiö perustaja Andy Hsun mukaan X-DRAM voi alentaa muistisolujen virkistystehoa yli 80 prosenttia. Tämä on mahdollista, kun virkistystaajuus lyhenee puoleen ja virkistysaika kutistuu 25 prosenttia.
Ratkaisut vähentävät päämuistin viivettä ja näin kaventavat prosessorin ja muistin välistä suorituskykyeroa. Seuraukset voivat olla dramaattisia niin it-verkkolaitteissa kuin kulutuselektroniikan tuotteissa.
Mistä sitten on kyse? DRAM-muisti koostuu solumatriiseista, jotka on järjestetty riveiksi ja sarakkeiksi. 512 sanalinjaa ja 512 bittilinjaa risteävät ja jokaisessa risteyksessä sijaitsee solu. Solun virtaa mitataan vahvistinpiirillä, mikä määrittelee, onko kyse ykkösestä vai nollasta.
Perinteisessä DRAM-muistissa virtaa aistiva vahvistinpiiri on liitetty suoraan bittilinjaan. Jokaisella linjalla on oma anturinsa. X-DRAM-rakenteessa anturi on liitetty neljään bittilinjaan ja valinta tapahtuu bittilinjan valitsimella. Kyse on porteista, jotka on liitetty neljään linjaan.
Tästä seuraa monia merkittäviä etuja. Solujen virkistykseen vaadittavan tehon määrä pienenee 85 prosenttia. Virkistettyä bittidataa saadaan ulos 400 prosenttia enemmän. Bittilinja voidaan lukea neljä kertaa pienemmällä virralla. Myös datanluvun aktivointiin kuluva aika (latenssi) lyhenee 50 prosenttia.
Neo Semiconductor ei ole kertonut, mitä vaikutuksia uudella rakenteella on piirien valmistukseen. Ne eivät kuitenkaan vaikuta kovin merkittäviltä, erityisesti suhteessa saataviin hyötyihin. Lisätieto X-DRAM-tekniikasta löytyy täältä.
Murata on julkistanut maailman ensimmäisen yhteysmoduulin, joka tukee uutta SGP.32 Remote SIM Provisioning (RSP) -spesifikaatiota osana integroitua SIM-teknologiaa (iSIM). Tämä uusi ratkaisu pohjautuu Muratan innovatiiviseen Type 2GD Cat.M1/NB-IoT -yhteysmoduuliin, joka tukee ETSI/3GPP Release 17 -standardia, sekä Giesecke+Devrientin (G+D) korkeasti suojattuun SGP.32-yhteensopivaan SIM-käyttöjärjestelmään.
Infineon Technologies on tänään julkistanut AURIX TC4Dx -mikro-ohjaimen, joka on uusimman AURIX TC4x -perheen ensimmäinen jäsen. Uusi mikro-ohjain perustuu 28 nanometrin teknologiaan ja tarjoaa lisää suorituskykyä sekä korkeanopeuksisia yhteyksiä.
Viikon päästä alkavat Münchenissä ammattielektroniikan tärkeimmät messut, kun Electronica avaa ovensa. Tämä tarkoittaa, että messujen uusien tuotteiden vyöry on jo alkanut. Flex Power Systems lupaa esitellä Münchenissä uutta datakeskusten teholähdettään.
Tulevaisuuden autot nojaavat yhä tiukemmin nopeaan datansiirtoon. Tämän dataväylän pitää perustua standardiin. Sellainen on PCIe-väylä, kertoo Microchip.
