NAND-piireissä kapasiteettia voidaan kasvattaa kahdella tavalla: solun pienentämisellä ja lisäämällä soluun tallennettavien määrää. Kun molemmat ovat flashin luonteen takia ongelmallisia, valmistajat ovat ryhtyneet lisäämään solujen päällekkäin. Uusimmat ratkaisut ovat jo yli 200 metallointikerroksen ”pilvenpiirtäjiä”.
Heinäkuun lopulla yksi kolmesta suuresta NAND-valmistajasta eli amerikkalainen Micron ilmoitti ryhtyneensä toimittamaan asiakkailleen maailman tähän asti edistyneimpiä NAND-siruja. Uutuus perustuu peräti 232 metallointikerrokseen. Edutkin ovat ilmeiset: Tallennustiheys siruilla on 14,6 gigabittiä neliömilliä kohti.
Korealainen SK Hynix ei jäänyt huonommaksi, vaan nokitti Micronin ilmoituksen toissa viikolla. Hynixin piirillä on peräti 238 kerrosta. 512 gigabitin sirulla datansiirto onnistuu 2,4 gigatavun sekuntinopeudella, mikä on 50 prosenttia edellispolvea nopeammin.
NAND-markkinoiden ykkönen eli Samsung ei jää kilpailijoitaan huonommaksi. Se lupaa vielä tänä vuonna julkistaa 236 metallointikerroksen NAND-sirun.
Tämä ”pilvenpiirtäjävillitys” on kuitenkin vasta alussa. Esimerkiksi Micron on julkistanut NAND-roadmapin, joka yltää 500 kerrokseen. Omassa tiekartassaan Hynixillä lukee vuoden 2030 kohdalla 600+ kerrosta. Samsung piirtelee kalvoihinsa, että 11. sukupolven V-NAND perustuu rakenteeseen, jossa olisi yli 500 kerrosta.