Hollantilaisen Twenten yliopiston MESA+ -tutkimusinstituutin tutkijat ovat yhdessä SolMateS-yrityksen kanssa kehittäneet uudenlaisen transistorin, jonka avulla nykyiset akkukäyttöiset laitteet voivat jaksaa pidempään yhdellä latauksella.
Transistori-innovaatio pyrkii pienentämään elektroniikkapiirien jännitevuotoja. Tämä onnistuu koteloimalla transistori pietsosähköisellä kerroksella. Sen avulla jännitevuodot kutistuvat viisi kertaluokkaa pienemmäksi, tutkijat kehuvat.
Tutkijoiden ratkaisussa transistorin ulkopintaan istutetaan pietsosähköinen kalvo. Kun siihen kohdistetaan jännite, pietsosähköinen materiaali laajenee puristaen transistorin piitä kokoon 10 000 ilmankehän paineella.
Tutkijoiden mukaan nykyisten transistorien tehokkuutta parannetaan jo nyt paineen avulla. Nykyisessä transistorityypissä paine on mukaan rakennettu, joka itse asiassa kasvattaa jännitevuotoja.
MESA+-tutkimusinstituutin luomuksessa transistoriin kohdistetaan paine vain tarvittaessa, mikä merkitsee suurta muutosta. Transistorin kytkemiseen tarvittava sähkövirta tulee osittain korvatuksi mekaanisella jännityksellä.
Tutkijoiden mukaan prototyyppi on vielä karkea. Materiaalia kehittämällä on mahdollista päästä paljon suurempiin säätöihin jännitevuotojen estämisessä.
Innovaatio esiteltiin kesäkuun Transactions on Electron Devices -lehdessä, joka on keskittynyt transistoritekniikan tulevaisuuden ratkaisuihin.