Kalifornialainen Navitas Semiconductor tunnetaan huippunopeuden kännykkälaturien tehopiireistä. Nyt yritys rummuttaa, että palvelimien ja datakeskusten teholähteissä pitää niissäkin siirtyä galliumnitridi-pohjaisiin tehokomponentteihin, jotta laitteissa ja laitoksissa voidaan vastata tiukentuviin energiatehokkuuden vaatimuksiin.
Navitas kertoo, että sen uusi palvelinpowerien referenssisuunnittelu (CRPS185 3 200 W "Titanium Plus") ylittää esimerkiksi EU-alueen tiukat 80Plus Titanium -tehokkuusvaatimukset.
Tarve paremmille hyötysuhteille on hellppo ymmärtää. Esimerkiksi tekoälyn prosessointiin tarkoitetut suorittimet, kuten Nvidian DGX GH200 Grace Hopper, vaativat kukin jopa 1 600 W:n tehon. Tämä tarkoittaa, että yhden palvelinräkin kokonaistehonkulutus kasvaa 30–40 kilowatista aina sataan kilowattiin asti.
Navitaksen uudet referenssimallit nopeuttavat palvelinkoneiden teholähteiden kehitystä. Ne perustuvat kännykkälatureissa mainetta saaneisiin GaNFast-tehopiireihin, joissa energiatehokkuus ja tehotiheys ovat aivan eri tasolla kuin perinteisissä piipohjaisissa suunnitteluissa.
Navitaksen CRPS185-alusta tarjoaa täyden 3200 W tehon vain 1U-koossa (40 x 73,5 x 185 mm). Alustan tehotiheys on 5,9 W neliötuumaa kohti. Piihin verrattuna GaN-laitteella päästään samaan tehoon 40 prosenttia pienemmässä koossa.
Samalla GaN-pohjainen teholähde saavuttaa 96,5 prosentin hyötysuhteen 30 prosentin kuormalla, mikä ylittää helposti Titanium-tehokkuusstandardin. Palvelimien lisäksi tätä ratkaisua voidaan käyttää laajasti myös sovelluksissa, kuten kytkimien/reitittimien virtalähteissä, viestinnässä ja muissa laskentasovelluksissa.