Erityisesti tulevat LTE-Advanced-verkoissa toimivat älypuhelimet ovat iso haaste radiosuunnittelijoille. Laitteen pitää kytkeytyä nopeasti oikeille taajuuksille ja mahdollistaa jopa satojen megabittien datansiirron. Ranskalainen DelfMEMS uskoo, että tämä vaatii MEMS-pohjaista RF-kytkintä.
Yhtiö esittelee ensi kuun alussa Barcelonan Mobile World Congressissa ensimmäisiä toimivia 12-askelisia MEMS-pohjaisia kytkinratkaisujaan. Niissä oikealle taajuudelle viritytään mikromekaanisen rakenteen eli MEMS:n avulla.
Tekniikan etuna piiripohjaisiin kytkimiin verrattuna on paljon pienempi tehonkulutus, erittäin hyvä eristys eri taajuusalueiden välillä, korkea lineaarisuus, luotettavuus ja volyymien myötä myös alhaisempi hinta.
DelfMEMSin toimitusjohtaja Cybene Rollandin mukaan yhtiön kytkimen suorituskyky on jo nyt transistoripohjaisten ratkaisujen tasolla. - Tuotantovaiheeseen ehdittyämme suorituskyky on jo selvästi nykyistä suurempi. Se mahdollistaa tulevaisuuden huippunopeat älypuhelimet, Rolland hehkuttaa.
RF-kytkimiä on rakennettu MEMS-tekniikalla aiemminkin, mutta erityisesti suuret tehonvaihtelut 4G-vastaanoton ja lähetyksen välillä ovat osoittautuneet hankalaksi perinteiselle RF MEMS -rakenteelle. Rakenteista on tehty hyvin jäykkiä, mikä on näkynyt kytkinsuorituskyvyn heikkoutena.
DelfMEMSin FreeFlex-tekniikassa rakenne pohjaa ohueen kalvoon, jonka ansiosta kytkimen periaate muistuttaa perinteiden releen toimintaa. Se mahdollistaa erittäin suuren nopeuden, pienen koon ja hinnan ja luotettavan toiminnan.