Puolijohdepiirien valmistaminen on yhä hankalampaa. Litografialaitteilla pitää tuottaa piille johdinkuvioita, joiden rakenteet liikkuvat pian nanometrikoossa. Amerikkalaistutkijat ovat nyt kehittäneet valmistusmenetelmän, jolla nykyinen piisirujen monimutkainen ja kallis prosessi voitaisiin korvata. Kyse on Yhdysvaltain energiaministeriön alaisen Oak Ridgen kansallisen laboratorion tutkimushankkeesta, jossa keksittiin menetelmä valmistaa johtavia rakenteita heliumionimikroskoopilla.
Tyypillisesti heliumionimikroskooppia käytetään eräänlaisena nanomittakaavan ”hiekkapuhaltimena”. Yleensä sillä leikataan ja muotoillaan nanokokoisia komponentteja ja rakenteita. Tutkija Olga Ovchinnikovan johtama tiiimi kuitenkin huomasi, että mikroskoopilla voitiin tuottaa kupari-indiumkalvolle osioita, jotka johtavat sähköä. Näitä ferrosähköisiä aluieta voitiin tuottaa myös kontrolloidusti.
Käytännössä tämä tarkoittaa, että edulliselle kalvolle voitaisiin mikrokoopilla valmistaa rakenteita, jotka toimisivat piirin tavoin. Rakenteet olisivat 2D-tyyppisiä eli tasorakenteita. Toisaalta ne eivät tarvitsisi nykytransistorien kaltaisia 3D-rakenteita, joiden valmistaminen nanomittakaavassa vaatii yhä enemmän prosessiaskelia.
Johtavien rakenteiden 2D-valmistus nyt esitetyllä tavalla onnistuisi myös ilman haitallisia kemikaaleja, mikä tekisi valmistuksesta selvästi ympäristöystävällisempää.
Olga Ovchinnikovan mukaan tekniikka voisi mahdollistaa nykyistä paljon vähemmän tehoa kuluttavien piirien valmistamisen. Älypuhelinkin pitäisi ehkä ladata vain kerran kuussa, kun se nykyisin on vähintään päivittäinen riesa.
No, kyse on vasta lupaavasta ideasta. Inteliä ja muita piihin nojaavia yrityksiä ei kannata aivan vielä ryhtyä julistamaan konkurssikypsiksi.