Venäläiset fysiikan ja teknologian MIPT-instituutissa työskentelevät tutkijat ovat kehittäneet muistitekniikan, joka lupaa korvata nykyiset flash-muistipiirit. Tätä ns. universaalimuistia venäläistutkijat ovat kehittäneet yhdessä Nebraskan ja Lausanne yliopiston tutkijoiden kanssa.
Tutkijat ovat vuosikausia etsineet oikeaa rakennetta ja materiaaleja universaalimuistille, joka voisi korvata nykyiset DRAM-, SRAM- ja flash-piirit sekä mekaaniset pyörivät kiintolevyt. Syynä tähän on ennen kaikkea se, että flash-tekniikan pienempään skaalaaminen on yhä vaikeampaa.
MIPT:n tutkijat ovat nyt kehittäneet erittäin lupaavan ehdokkaan universaalimuistiksi. He onnistuivat kasvattamaan piille polykiteistä ferrosähköistä kalvoa, jonka paksuus on vain 2,5 nanometriä.
Tutkijat valmistivat kalvonsa hafnium- ja zirkoniumoksidikalvoista, jotka säilyttävät ferrosähköiset ominaisuutensa jopa alle 3 nanometrin paksuisina. Ferrosähköiseen tunneliliitoksen perustuva muisti olisi yhtä nopea kuin RAM, kapasiteetiltaan kiintolevyn tasoa ja hyvin vähän tehoa kuluttava. Lisäksi muisti olisi haihtumaton eli se säilyttäisi bittitietonsa myös ilman virtaa.
MIPT:n mukaan ferrosähköisiä kalvoja käytetään tyypillisesti eristeinä, koska ne eivät johda sähköä. Hyvin ohuen kerroksen läpi elektronit kuitenkin pääsevät. Tämä johtuminen riippuu rakenteen kyvystä päästää virtaa läpi.
Tällaiseen ferrosähköiseen kalvoon perustuvaan soluun dataa kirjoitetaan suuntaamalla jännite kalvon viereisiin elektrodeihin. Dataa luetaan mittaamalla liitoksen virtaa.