Infineon Technologies on julkaissut uuden sukupolven säteilyä kestävät GaN- eli galliumnitridi-transistorit, jotka on valmistettu yhtiön omalla tehtaalla CoolGan-teknologiaan pohjautuen. Uutuustuotteet on suunniteltu kestämään avaruuden vaativia olosuhteita, ja yksi niistä on ensimmäinen täysin sisäisesti valmistettu GaN-laite, joka on saavuttanut Yhdysvaltain puolustuslogistiikkaviraston (DLA) myöntämän JANS.
Uudet GaN-transistorit on suunniteltu kriittisiin avaruussovelluksiin, kuten satelliitteihin, miehitettyihin avaruuslentoihin ja syvän avaruuden luotaimiin. Ne yhdistävät GaN-HEMT-teknologian suorituskyvyn ja Infineonin yli 50 vuoden kokemuksen korkean luotettavuuden ratkaisuista. Tuloksena on tehokkaampi, kevyempi ja pienempiin tiloihin soveltuva tehonhallintaratkaisu avaruusteknologiaan.
Ensimmäiset tuotteet ovat 100 voltin ja 52 ampeerin GaN-transistoreita, joiden tyypillinen kanavanvastus on vain 4 mΩ ja porttivaraus 8,8 nC. Ne on koteloitu hermeettisesti tiivistettyihin keraamisiin pintaliitettäviin koteloihin ja kestävät yksittäisten hiukkasten aiheuttamat häiriöt (SEE) jopa tasolle LET = 70 MeV·cm²/mg. Kaksi piireistä on säteilysuojattu 100 ja 500 kradin ionisoivan säteilyn annoksille, ja kolmas – myös JANS-sertifioitu – 500 kradiin asti.
Infineon on alan ensimmäinen toimija, joka saavuttaa DLA JANS -sertifioinnin täysin sisäisesti valmistetuille GaN-teholaitteille. Sertifiointi varmistaa tuotteen laadun ja kestävyyden avaruuslentojen vaatimuksiin. Yritys valmistautuu myös täyden JANS-tuotannon aloittamiseen ajamalla useita valmistuseriä ennen lopullista julkaisua.
Ensimmäiset näytekappaleet ja arviointipiirikortit ovat jo saatavilla, ja lopullisen JANS-sertifioidun tuotteen julkaisu tapahtuu kesällä 2025. Luvassa on lisää tuotteita laajemmalla jännite- ja virtavalikoimalla. Lisätietoja täällä.
