Kioton yliopiston tutkijat ovat kehittäneet piikarbidista transistorin, joka toimii jopa 600 celsiusasteen lämpötilassa. Uusi SiC-rakenne voisi mahdollistaa integroidut piirit ympäristöihin, joissa tavallinen piielektroniikka ei enää selviä.
Tutkijoiden lähtökohtana oli SiC-pohjainen JFET- eli liitoskanavatransistori. SiC kestää materiaalina erittäin korkeita lämpötiloja, mutta siitä valmistettujen transistorien käyttöä integroiduissa piireissä ovat haitanneet erityisesti kynnysjännitteen heikko hallinta sekä korkeissa lämpötiloissa kasvavat vuotovirrat.
Kioton yliopiston ryhmä muutti transistorin rakennetta sijoittamalla hilan kanavan alapuolelle. Tämä niin sanottu bottom-gate-rakenne paransi selvästi kynnysjännitteen hallintaa.
Samalla tutkijat luopuivat aiemmissa rakenteissa käytetystä puolieristävästä SiC-substraatista ja toteuttivat komponenttien eristyksen kaivorakenteella. Ratkaisu pienensi korkeassa lämpötilassa syntyvää vuotovirtaa niin paljon, että se on tutkijoiden mukaan jo lähellä SiC-materiaalin ominaisuuksien määräämää teoreettista rajaa.
Uudella rakenteella valmistettu JFET toimi testeissä 600 asteen lämpötilassa. Tutkijoiden mukaan kiinnostavaa on myös se, ettei valmistukseen tarvittu kokonaan uusia prosesseja, vaan transistorissa voitiin hyödyntää teollisuudessa jo käytössä olevia valmistusmenetelmiä.
Tavoitteena eivät ole ensisijaisesti sähköautojen inverttereissä ja muissa tehosovelluksissa käytettävät SiC-transistorit. Tutkijat tähtäävät komplementaarisiin JFET-piireihin, joista voitaisiin rakentaa vähän kuluttavaa integroitua elektroniikkaa äärimmäisiin lämpötiloihin.
Käytännön piireihin on silti vielä matkaa. Seuraavaksi ryhmän tarkoituksena on rakentaa monimutkaisempia piirejä, siirtyä kiekkotason valmistukseen ja ratkaista myös koteloinnin kestävyys äärimmäisissä lämpötiloissa.
Norjalainen Sensibel on esitellyt optiseen MEMS-tekniikkaan perustuvan SBM140B-mikrofonin, jonka dynamiikka yltää 136 desibeliin. Valmistajan mukaan vastaavaan suorituskykyyn ei päästä perinteisillä kapasitiivisilla MEMS-mikrofoneilla.
Suojattu flash-muisti tarjoaa verkkoon liitetyille laitteille ja järjestelmille laitteistopohjaisen suojauskerroksen ja täyttää NIST SP800-193 -ohjeistuksen mukaiset häiriönsietovaatimukset. Muistipiireihin erikoistuneen Winbondin kehittämä suojattu flash-piiri on myös suoraan korvaava ja täysin yhteensopiva tavanomaisten NOR-flash-piirien kanssa.