
Infineon on ensimmäisenä puolijohdevalmistajana onnistunut valmistamaan toimivia piikarbidi- eli SiC-tehokomponentteja 300 millimetrin kiekoilla teollisessa puolijohdetehtaassa. Läpimurto voi tulevaisuudessa alentaa merkittävästi SiC-komponenttien valmistuskustannuksia ja parantaa niiden saatavuutta.
Ensimmäiset toimivat komponentit valmistettiin Infineonin Villachin-tehtaalla Itävallassa. Erityisen merkittävää on, että valmistuksessa voitiin hyödyntää olemassa olevia piipuolijohteiden tuotantolaitteita. Siirtyminen suurempiin kiekkoihin ei siten välttämättä edellytä kokonaan uuden tuotantotekniikan kehittämistä.
Halkaisijaltaan 300 millimetrin kiekon pinta-ala on 2,25-kertainen verrattuna 200 millimetrin kiekkoon. Infineonin mukaan yhdeltä kiekolta voidaan valmistaa noin 2,3 kertaa enemmän piirejä. Tämä avaa mahdollisuuden huomattaviin kustannussäästöihin, kun tekniikka aikanaan etenee volyymituotantoon.
Samalla Infineon on osoittanut Dresdenin-tehtaallaan Saksassa, että yhtiön Cold Split -tekniikka soveltuu myös 300 millimetrin piikarbidikiekkoihin. Menetelmällä voidaan erottaa ohuita kiekkoja piikarbidikiteestä perinteistä lankasahausta pienemmällä materiaalihukalla. Tämä on erityisen tärkeää, koska piikarbidi on kallis ja vaikeasti työstettävä materiaali.
Piikarbidia käytetään erityisesti tehopuolijohteissa, joissa tarvitaan pieniä häviöitä, suurten jännitteiden kestoa ja toimintaa korkeissa lämpötiloissa. Keskeisiä sovelluksia ovat sähköautot, latausjärjestelmät, teollisuuden moottorikäytöt ja energiavarastot. Infineon nostaa esiin myös tekoälydatakeskusten kasvavan kysynnän esimerkiksi tehonsyötössä ja puolijohdepohjaisissa muuntajissa.
Infineon ei ole ilmoittanut volyymituotannon aikataulua, vaan jatkaa rinnalla 200 millimetrin SiC-tuotannon kehittämistä. Yhtiö esittelee ensimmäistä 300 millimetrin SiC-kiekkoa yleisölle Münchenin Electronica-messuilla tällä viikolla.


Saksalainen Rohde & Schwarz on esitellyt Münchenin Electronica-messuilla uuden FNH-käsianalysaattorin, joka yhdistää spektrianalyysin, reaaliaikaisen spektrianalyysin, vektoriverkkoanalyysin ja tehomittaukset samaan laitteeseen. Uutuuden merkittävin tekninen ominaisuus on jopa 125 megahertsin reaaliaikainen analyysikaista, joka on valmistajan mukaan luokkansa levein.


Emerson laajentaa NI PXI-mittalaitevalikoimaa uusilla, aiempaa edullisemmilla moduuleilla. Samalla yhä useammat mittausjärjestelmät pääsevät hyödyntämään Nigel-tekoälyavustajaa, joka nopeuttaa automatisoitujen testien kehittämistä ja vianetsintää.












