Onsemi on kehittänyt uuden sukupolven piikarbiditeknologian, joka vähentää tehohäviöitä jopa 35 prosenttia ja kasvattaa tehotiheyttä 30 prosenttia edelliseen sukupolveen verrattuna. EliteSiC M4 -tekniikka perustuu uuteen trench-rakenteeseen, jota yhtiö esittelee tänään Münchenissä alkavilla Electronica-messuilla.
Uuden tekniikan tavoitteena on pienentää tehoelektroniikan kokoa ja jäähdytystarvetta samalla, kun sähköautojen, tekoälydatakeskusten ja energiainfrastruktuurin tehontarve kasvaa. Onsemin mukaan parannukset mahdollistavat entistä tehokkaammat tehonmuuntimet ilman vastaavaa kasvua järjestelmien fyysisessä koossa.
EliteSiC M4 keskeinen uudistus on trench-rakenne, jossa transistorin hila sijoitetaan puolijohdemateriaaliin syövytettyyn uraan perinteisen pintarakenteen sijaan. Tämä mahdollistaa pienemmän resistanssin suhteessa sirun pinta-alaan ja vähentää transistorin johtohäviöitä.
Onsemin mukaan uuden rakenteen ominaisresistanssi on 20–50 prosenttia pienempi kuin edellisessä sukupolvessa. Tämä tarkoittaa, että transistorin läpi kulkeva virta aiheuttaa vähemmän lämpönä hukkaan menevää energiaa. Samalla paranevat transistorin kytkentäominaisuudet eli se, kuinka tehokkaasti transistori voidaan kytkeä johtavaan ja johtamattomaan tilaan.
Onsemi ilmoittaa kytkentäsuorituskykyä kuvaavien tunnuslukujen parantuneen 67 prosenttia kovassa kytkennässä (hard switching) ja 50 prosenttia pehmeässä kytkennässä (soft switching). Kovassa kytkennässä transistorin yli vaikuttaa samanaikaisesti merkittävä jännite ja sen läpi kulkee virtaa, mikä aiheuttaa energiahäviöitä. Pehmeässä kytkennässä virtapiiri on suunniteltu niin, että kytkentä tapahtuu mahdollisimman pienellä jännitteellä tai virralla. Molemmissa tapauksissa paremmat kytkentäominaisuudet mahdollistavat tehokkaammat ja pienemmät tehonmuuntimet.
Parannukset ovat erityisen merkittäviä sähköautojen ajomoottorien inverttereissä, joissa pienemmät häviöt voivat kasvattaa toimintamatkaa ja vähentää jäähdytyksen tarvetta. Tekoälydatakeskuksissa suurempi tehotiheys puolestaan mahdollistaa enemmän laskentatehoa käytettävissä olevan sähkönsyötön ja tilan puitteissa.
Uusi rakenne on suunniteltu myös vaativiin käyttöolosuhteisiin. Onsemin mukaan tekniikan luotettavuusvaatimukset kattavat vähintään 185 celsiusasteen lämpötilat. Piirejä voidaan käyttää muun muassa yläpinnalta jäähdytettävissä pintaliitoskoteloissa ja suuritehoisissa moduuleissa.
Ensimmäinen EliteSiC M4 -tuote on sähköautojen inverttereihin tarkoitettu 750 voltin paljas puolijohdesiru, joka on jo saatavilla. Onsemi aikoo laajentaa tuoteperhettä vuoden 2027 aikana uusiin jänniteluokkiin aina 1 200 volttiin saakka.
Saksalainen Rohde & Schwarz on esitellyt Münchenin Electronica-messuilla uuden FNH-käsianalysaattorin, joka yhdistää spektrianalyysin, reaaliaikaisen spektrianalyysin, vektoriverkkoanalyysin ja tehomittaukset samaan laitteeseen. Uutuuden merkittävin tekninen ominaisuus on jopa 125 megahertsin reaaliaikainen analyysikaista, joka on valmistajan mukaan luokkansa levein.
Emerson laajentaa NI PXI-mittalaitevalikoimaa uusilla, aiempaa edullisemmilla moduuleilla. Samalla yhä useammat mittausjärjestelmät pääsevät hyödyntämään Nigel-tekoälyavustajaa, joka nopeuttaa automatisoitujen testien kehittämistä ja vianetsintää.
5G-yhteyden rakentamiseen ei välttämättä tarvita matkapuhelinoperaattoria, SIM-kortteja eikä lisensoitua radiotaajuutta. DECT NR+ tuo 5G-standardin ominaisuuksia paikallisiin IoT-verkkoihin, joissa tarvitaan pitkää kantamaa, pientä viivettä ja luotettavaa tiedonsiirtoa. Uusi tekniikka yhdistää itsestään järjestäytyvän mesh-verkon, energiatehokkuuden ja nopean tiedonsiirron tavalla, joka haastaa monet nykyiset langattomat ratkaisut.