logotypen
 
 

IN FOCUS

Suojaa datasi kunnolla

SSD-levyt tarjoavat luontaisesti korkean luotettavuuden kaikentyyppisiin sovelluksiin, aina aloitustason kuluttajalaitteista kriittisiin järjestelmiin. Asianmukaiset tietosuojamekanismit voivat maksimoida levyn käyttöiän toteuttamalla ennaltaehkäiseviä toimenpiteitä tarpeen mukaan, kertoo Silicon Motion artikkelissaan.

Lue lisää...
" "

Tehojärjestelmissä puhutaan nyt uusista laajan kaistaeron materiaaleista. Mutta mitä GaN- tai SiC-komponenttien käyttäminen edellyttää ja mihin sillä voidaan päästä? Future Electronicsin tekemä vertailu kertoo paljon.

Perinteinen piipohjainen teho-MOSFET on helposti saatavilla oleva edullinen komponentti, joka on varmasti jatkossakin tehokytkinten perusta vuosien ajan. Suurjännitemuuntimissa sen rajoitukset ovat kuitenkin ilmeisiä. Kytkentähäviöt ovat suuret, mikä johtuu pii-MOSFETin rakenteen ominaisuuksista.

Tämän ongelman ratkaisemiseksi sekä tehokkuuden ja kytkennän parantamiseksi tehojärjestelmien suunnittelijat ovat ottaneet käyttöön useita topologioita, joissa kytkentä onnistuu nollajännitteellä ja/tai nollavirralla. Nämä topologiat ovat kuitenkin monimutkaisia ja edellyttävät monimutkaisten ohjausjärjestelmien käyttöä ja suurta määrää komponentteja.

Kuva 1. GaN HEMT -pohjainen half-bridge -kortti Panasonicin GaN-kytkimillä.

Uuden sukupolven virtakytkimet, jotka on valmistettu laajan kaistaeron galliumnitridi- tai piikarbidimateriaaleista, ovat antaneet suunnittelijoille mahdollisuuden harkita uusien virtatopologioiden käyttöä, jotka ovat yksinkertaisempia toteuttaa ja käyttävät vähemmän komponentteja. Silti niillä saavutetaan huomattavasti parempi tehokkuus. Tämä johtuu siitä, että sekä GaN- että SiC-virtakytkimillä on luonnostaan pienemmät häviöt kytkettäessä suoraan suurjännitteestä.

Sillaton toteeminapainen PFC-topologia (Power Factor Correction) herättää erityistä kiinnostusta suuritehoisissa järjestelmissä. PFC-konfiguraatiossa yksi aktiivisilla kytkimillä varustettu puolisilta (half-bridge) joko korkean liikkuvuuden eli HEMT-GaN-transistoreilla (High Electron Mobility Transistors) tai SiC-MOSFETeilla tukee kytkentää minimaalisilla häviöillä.

Tämä kuulostaa hyvältä, mutta tosielämän toteutukset osoittavat, että laitteen kotelo, ohjaimen valinta ja piirilevyn asettelu vaikuttavat merkittävästi laajan kaistaeron piirien suorituskykyyn kytkettäessä suurella jännitteellä. Future Electronicsin tehojärjestelmien suunnittelutiimi yhtiön Eghamin osaamiskeskuksessa on testannut ja vertaillut erilaisia half-bridge -kokoonpanoja käyttämällä sekä GaN HEMT- että SiC MOSFET -piirejä sillattomassa toteeminapaisessa PFC-topologiassa. Tässä artikkelissa esitellään vertailun tuloksia ja ehdotetaan parhaita ratkaisuja laajan kaistaeron tehokomponenttien käyttämisestä suuren jännitteen kytkentäjärjestelmiin.

GaNdalf-EVALUOINTIALUSTA

Eri komponenttien arviointi tehtiin GaNdalf-alustalla, joka on modulaarinen sillattomalla PCF-piirillä toteutettu kehityskortti. Se tuottaa 400 voltin DC-lähdön verkkovirrasta. GaNdalf-kortissa on laajennusliitäntä, joka mahdollistaa useiden puolisiltakorttien helpon vertaamisen. Nämä voivat olla joko GaN HEMT- tai SiC MOSFET -kortteja eristetyillä ajureilla ja DC-DC-virtalähteillä.

Vertailukohdaksi eri kytkinkokoonpanoille oli puolisiltakortti, jossa käytettiin Panasonicin PGA26E06BA GaN -kytkimiä nopeiden opto-kytkimien eristämänä ja Panasonicin nopeita GaN-ohjaimia (AN34092B) (kuva 1). Tämä järjestelmä saavutti 99 prosentin hyötysuhteen syötettäessä jopa 1 kilowatin kuormia.

Uusien puolisiltakorttien käyttöönotto antoi osaamiskeskuksen suunnittelijoille mahdollisuuden tavoitella suurempia tehoja ja parempaa lämpösuorituskykyä, ja samalla pienentää ajuripiiristön kustannuksia.

Futuren kehittäjät pääsivät myös arvioimaan 600-700 volttiin mitoitettujen SiC MOSFET -piirien etuja 3- tai 4-nastaisissa TO-247-koteloissa. jotka mahdollistivat parempia vaihtoehtoja lämmön poisjohtamiseen.

GaN: LÄMMÖNHALLINTA MIETITYTTÄÄ

Ensimmäiset GaN-pohjaiset puolisiltakortit ovat Infineonilta, Panasonicilta ja Exaganilta. Niiden vastusarvot vaihtelevat välillä 30-190 milliohmia (mΩ). Laitteet toimitetaan pohjapuolelta jäähdytetyissä pintaliitettävissä koteloissa, joissa on 60-80 neliömillimetrin lämpötyynyt.

Piirilevyn rakenne on esitetty kuvassa 2. Jäähdytyselementti (4°C/W) on kytketty puolisiltakorttien kääntöpuolelle ja kytketty sähköisesti PFC-vaiheen ulostulopotentiaaliin. Lämpökosketuspinta jäähdytyselementistä lämpöeristystyynyn ja PCB-pohjakerroksen välillä oli tyypillisesti 300 neliömillimetriä.

Kuva 2. Ylhäältä jäähdytetty GaN HEMT -kokoonpano.

GaN HEMT -piirit tuottavat nopean kytkentänsä takia merkittävästi kohinaa, ja niiden dV/dt-arvo on usein yli 100 V/ns. Suunnittelijan on rajoitettava kohinaa minimoimalla kapasitiivinen kytkentää puolisillan nopeasti kytkevän solmun ja muiden solmujen välillä (ja sen jälkeen maapotentiaaliin). Tämä on kuitenkin ristiriidassa optimaalisen lämmönhallinnan saavuttamisen kanssa, koska GaN HEMT:n lämpöreitti on puolisillan nopea kytkentäsolmu. Vaikka kapasitiivista kytkentää piirilevyn yli voidaan hallita, jotkut kapasitiiviset kytkennät jäähdytyselementtiin ovat väistämättömiä.

GaN-kytkinjärjestelyn sähköisten ja termisten näkökohtien välinen ristiriita vaikutti näiden puolisilta-korttien toimintaan. Korkea kohinataso esti kortin oikean toiminnan, vaikka käytetyt porttiajurit mahdollistivat transienttien immuniteetille yli 100 V/ns arvot.

Futuren kehittäjien oletuksena oli, että ongelman syy oli kapasitiivinen kytkentä jäähdytysele-menttiin. Sen arvoksi laskettiin noin 20 pikofaradia. Jäähdytys-elementin kosketusalueen pienentäminen 300 neliömillimetristä 100 neliömillimetriin pienensi kapasitiivisen kytkennän alle 10 pikofaradiin ja paransi siten kohina-arvoa niin, että kortin toiminta saatiin riittävän hyväksi. Nopeasti kytkevän solmun kosketusalueen pienentäminen kuitenkin väistämättä heikentää lämmön johtumista ja vähentää kuormaa, jota pohjapuolelta jäähdytettyihin GaN-piireihin perustuva järjestelmä voi syöttää ilman tuuletinjäähdytystä.

PÄÄLTÄ JÄÄHDYTTÄMINEN PARANTAA SUORITUSKYKYÄ

Yläpuolelta jäähdytetyn kotelon käyttö poistaa edellä kuvatun ongelman: nyt sähkö- ja lämpöreitit voidaan erottaa.

Ero suorituskyvyssä käytettäessä samaa puolisiltakorttimallia yläpuolelta jäähdytettyjen 70 milliohmin GaN-kytkimien kanssa on huomattava. Ratkaisu toimi erittäin hyvin ilman kohinaongelmia. 99 prosentin hyötysuhteen saavuttava kortti, jossa on ylhäällä asennettu 4°C/W-jäähdytyselementti eikä pakotettua tuuletusta, säilytti kotelon lämpötilan noin 80 asteessa 25-asteisessa tilassa, kun siitä syötettiin 2 kilowatin lähtöä 220 voltin AC-tulosta.

Futuren kehittäjien kokemus GaNdalf-alustasta osoittaa, että GaN-kytkimiin perustuvissa sillattomissa toteeminapaisissa PFC-piireissä, jotka toimivat yli 1 kilowatin tehotasoilla, suositellaan yläpuolelta jäähdytettyjä koteloita, jos järjestelmää on tarkoitus ajaa ilman pakotettua tuuletusta.

SiC MOSFET: ONGELMIA TO-247-KOTELOISSA

GaNdalf-kehitysalustan modulaarisen rakenteen etuna on, että se helpottaa GaN- ja SiC-laitteiden suoraa vertailua. Eghamin tiimi odotti, että SiC MOSFET -tekniikoihin perustuvat puolisilta-kortit tarjoavat hieman alhaisemman tehokkuuden kuin GaN-pohjaiset järjestelmät. Tämä johtuu siitä, että SiC MOSFET -laitteet, joilla on hitaampi dV/dt ja käänteisen palautumisen häviöt suuremmat, tuottavat suurempia kytkentähäviöitä.

GaN HEMT -laitteisiin verrattuna SiC MOSFET -laitteita on saatavana enemmän ja useammilta valmistajilta, esimerkiksi Microchipiltä, ON Semiconductorilta, STMicroelectronicsilta, Infineonilta ja ROHM Semiconductorilta. Lisäksi 600-700 voltin SiC MOSFET -laitteiden hinnat laskevat nopeasti. Kaikissa uusissa sillatonta toteeminastaista PFC-topologiaa käyttävissä projekteissa saattaa siksi joutua arvioimaan SiC MOSFET -toteutusta.

SiC MOSFET -laitteita toimitetaan sekä 3- että 4-johtimisissa TO-247-koteloissa, mutta tässä tutkimuksessa keskityttiin 4-johtimiseen TO-247-koteloon, joka sisältää lisäksi niin sanotun Kelvin-liitännän. Kehittäjien arviointi paljasti jonkin verran suorituskyvyn vaihtelua sekä toiminnassa että kohinassa eri piirien välillä.

Jotkut piirit toimivat hyvin ja tuottivat lähes 99 prosentin PFC-hyötysuhteen hyvällä kytkennän suorituskyvyllä. Toiset tuottivat alkuun suhteellisen heikkoja kytkentäaaltomuotoja ja gene-roivat sen verran kohinaa, että se vaikutti suorituskykyyn. Yhdessä tapauksessa kohinan vaikutus suorituskykyyn oli pieni.

Testitulokset kertoivat hyvästä hyötysuhteesta, mutta kotelon lämpötila nousi 10 °C korkeammalle kuin vastaavissa laitteissa havaittu. Harmoninen kokonaissärö (THD) oli myös jopa 8 prosenttia suurempi. Lokidatan yksityiskohtainen analyysi osoitti, että tulovirran aaltomuoto oli vääristynyt: tulovirran AC-virta-jakson negatiivinen puoli oli hieman litistynyt.

Laitetoimittajien kanssa tehdyssä perusteellisessa tutkimuksessa tunnistettiin ilmiön perimmäinen syy: joidenkin SiC MOSFET -laitteiden portti-nielu-kapasitanssi (Cgd) voi olla suhteellisen suuri. Yhdistettynä matalaan kynnysjännitteeseen tämä ominaisuus voi altistaa MOSFETin ns. Millerin käynnistysvaikutuksille. Lisäksi sisäisistä kapasitansseista johtuva jännitteen kytkentä voi johtaa huonoon kytkentäaaltomuotoon ja ei-toivottuihin ristiinjohtumisen vaikutuksiin.

Onneksi tähän on lääke. Future Electronicsin suositus on tarkistaa SiC MOSFETin Cgd-luokitus ja hila-lähde-kapasi-tanssin (Cgs) suhde Cgd:een datalehdistä. Jos Cgd on suhteellisen suuri, saattaa kannattaa valita porttiohjain Miller-taso-lukitus-toiminnolla. Tähän esimerkiksi STMicroelectronicsin STGAP2SCM on sopiva tuote. Jos Cgs:n ja Cgd:n suhde on alhainen, on suositeltavaa lisätä Cgs:tä käyttämällä ulkoista kondensaattoria.

Eghamin osaamiskeskuksen GaNdalf-alustaan perustuvassa arvioinnissa (Millerin) tasolukitus-toimintoa käyttävä ohjain yhdistettynä Cgs-lisäkapasitanssiin paransi kytkentätehoa ja järjestelmän kokonaistoimintaa, mikä johti huomattavasti parantuneeseen hyötysuhteeseen, parempaan harmoniseen kokonaissäröön ja myös parempiin kytkentäaaltomuotoihin.

TUTKIMUS TUKEE SUOSITUKSIA

GaNdalf-alusta tarjoaa ihanteellisen perustan tutkia yksityiskohtaisesti sekä GaN- että SiC-laitteiden toimintaa suurella jännitteellä kytkettäessä. Future Electronicsin osaamiskeskuksen tutkijoiden toteuttama vertaileva tutkimus paljasti joitain tärkeitä käytännön tuloksia, joita tehojärjestelmien suunnittelijat voivat hyödyntää.

Erityisen selvää on, että pintaliitettävät kotelot, joissa on yläpuolinen jäähdytys, tarjoavat parhaat kokonaistulokset käytettäessä GaN HEMT -piirejä, joissa tehotasot ylittävät 1 kilowatin ja joissa ei haluta käyttää tuulettimen jäähdytystä.

GaNdalf-piirilevy osoitti myös, että piikarbidilaitteet ylletään hyötysuhteessa hyvin lähelle GaN HEMT -laitteiden lukemia, tehoa pienemmiksi, kun taas piikarbidipohjaiset MOSFETit ovat hinnaltaan houkuttelevia ja laajalti saatavissa.

Jotkut 4-johtimisissa TO-247-koteloissa olevat SiC MOSFET -piirit voivat kärsiä kohinaongelmista ja olla alttiita Miller-vaikutukselle, jossa Cgd on suhteellisen suuri. Monissa tapauksissa nämä ongelmat voidaan ratkaista käyttämällä ohjainta, jolla on aktiivinen tasolukitustoiminto, ja ulkoista Cgs-kapasitanssia kytkentäaaltomuotojen parantamiseksi.

 

Future Electronicsin David Woodcockin kirjoittama artikkeli löytyy uudesta ETNdigi-lehdestä. Sitä pääset lukemaan täällä.

MORE NEWS

Nopeutuvat signaalit vaativat parikaapelilta yhä enemmän

Signaalinsiirron kehitys kiihtyy – kirjaimellisesti. Uusimmat datakeskus- ja verkkosovellukset siirtyvät käyttämään jopa 224 Gbps PAM4 -modulaatiota, jossa jokainen bittikanava kuljettaa neljää jännitetasoa äärimmäisen tiiviissä aikakehyksessä. Tällainen signalointi vaatii kaapeleilta ennen näkemätöntä tarkkuutta.

MEMS-pohjainen tahdistus tulee nyt älypuhelimeen

Piilaaksolainen SiTime tuo markkinoille ensimmäisen mobiilikäyttöön suunnitellun MEMS-kellopiirin, joka haastaa perinteiset kvartsikiteet älypuhelimissa.

Tilaäänikoodekki on hyvä esimerkki uudesta Nokiasta

Maailman ensimmäinen tilaäänipuhelu kuulostaa tieteiselokuvalta – mutta se on todellisuutta. Kesällä 2024 Nokia esitteli uuden Immersive Voice -teknologian avulla toteutetun puhelun, jossa ääni ei vain kuulu, vaan ympäröi kuulijan kuin keskustelukumppani olisi fyysisesti läsnä. Tämän mahdollisti uusi 3GPP-standardiin hyväksytty IVAS-koodekki (Immersive Voice and Audio Services), joka vie mobiiliviestinnän täysin uudelle tasolle.

Tinahiukkaset anodissa vauhdittavat latausta ja kasvattavat energiatiheyttä

Eteläkorealaiset tutkijat ovat kehittäneet uudenlaisen akun anodimateriaalin, joka yhdistää nopean latauksen, suuren energiatiheyden ja pitkän käyttöiän – läpimurto voi mullistaa sähköautojen ja energiavarastojen markkinat.

Kännykkämarkkina kasvoi vain 3 prosenttia alkuvuonna

Älypuhelinmarkkinoiden globaali kasvu jäi vaatimattomaksi vuoden 2025 ensimmäisellä neljänneksellä, kertoo tutkimusyhtiö Counterpoint Research tuoreessa raportissaan. Markkinatulot nousivat vain 3 prosenttia vuoden takaisesta, mikä vastaa kasvua myös toimitusmäärissä.

Uuden polven SiC-tekniikka kutistaa sähköauton invertterin

Infineon esittelee tehoelektroniikan PCIM-messuilla Nürnbergissä uraauurtavan piikarbidikomponentin, joka tehostaa sähköautojen vetojärjestelmiä – pienemmät, kevyemmät ja energiatehokkaammat invertterit ovat askeleen lähempänä.

Nokian privaattiverkko seuraa jatkossa Maerskin rahtilaivoja

Nokia on solminut merkittävän sopimuksen tanskalaisen logistiikkajätti Maerskin kanssa toimittaakseen privaattiverkkoratkaisunsa yhtiön 450 rahtialukseen. Kyseessä on osa Maerskin uutta IoT-alustaa, OneWirelessia, jonka tavoitteena on parantaa reaaliaikaista rahtiseurantaa, toimitusketjun näkyvyyttä ja operatiivista tehokkuutta.

Piinanolanka-akku siirtyy vihdoin tuotantoon

Kalifornialainen vuonna 2008 perustettu Amprius Technologies on valmis siirtymään sarjatuotantoon uudenlaisen akkukenno­tekniikkansa kanssa. Yhtiön "Sicore"-niminen kenno käyttää pii-nanopilareihin perustuvaa anoditeknologiaa ja saavuttaa huipputason energiatiheyden: 450 Wh/kg painon mukaan ja 950 Wh/l tilavuuden mukaan.

6G vaatii uutta radiotaajuussuunnittelua

Suomalaiset huippuyritykset ja tutkimuslaitokset ovat yhdistäneet voimansa uuden sukupolven mobiiliverkkojen kehittämiseksi. Oulun yliopiston vetämä RF ECO3 -hanke tähtää tulevaisuuden 6G-teknologian kriittiseen osa-alueeseen: tehokkaampaan ja kestävämpään radiotaajuussuunnitteluun.

Yksinkertainen ratkaisu kasvattaa sähköauton akun eliniän jopa 19-kertaiseksi

Korelaisten POSTECHin (Pohang University of Science and Technology) ja Sungkyunkwanin yliopiston tutkijat ovat löytäneet uuden tavan pidentää sähköautojen litiumioniakkujen käyttöikää jopa 19-kertaiseksi – ilman uusia materiaaleja tai teknologioita. Ratkaisu on yksinkertainen: siinä pitää välttää akun täydellistä tyhjentämistä.

GaN tekee moottorinohjauksesta tehokkaampaa

GaN-teknologian edelläkävijä Navitas Semiconductor on julkistanut uuden GaNSense Motor Drive IC -piirisarjan, joka mullistaa moottorinohjauksen tehokkuuden ja integraation. Uusi ratkaisu yhdistää kaksi galliumnitridi-FET-transistoria (GaN FET), ohjauksen, suojaukset ja virranmittauksen yhteen, täysin integroituun piiriin.

DigiKey alkaa myymään vakiotyökaluja

DigiKey on lanseerannut oman, yksinoikeudella myytävän tuotesarjansa nimeltä DigiKey Standard. Uusi vakiokomponenttien valikoima koostuu sähkö- ja elektroniikkasuunnittelun perustyökaluista ja tarvikkeista, jotka ovat heti saatavilla nopeaan toimitukseen.

Kuutiosentin kokoinen projektori AR-laseihin

Itävaltalainen teknologiayhtiö TriLite tuo markkinoille uuden, vallankumouksellisen Trixel 3 Cube -projektorin, joka esitellään ensi kertaa yleisölle Display Week 2025 -tapahtumassa San Josessa, Kaliforniassa. Trixel 3 Cube on maailman pienin ja kevyin laserkeilaukseen perustuva projektionäyttö.

Lightning-liitäntä katosi Suomesta

Älypuhelinmarkkina Suomessa on käännekohdassa, kun sekä kuluttajakäyttäytyminen että uusi EU-lainsäädäntö muovaavat sitä nopeassa tahdissa. Vuoden 2025 ensimmäisellä neljänneksellä puhelinten ja oheislaitteiden myynti laski kappalemäärissä 1,1 %, mutta myynti euroissa nousi 2,7 prosenttia verrattuna edellisvuoden vastaavaan aikaan.

200 miljoonan käyttäjän avoin ODF täyttää 20 vuotta

Open Document Format (ODF), maailman ainoa laajasti käytetty avoin standardi toimistodokumenteille, on täyttänyt 20 vuotta OASIS-järjestön virallisena standardina. Yli 200 miljoonaa käyttäjää turvautuu ODF:ään arjessaan.

Realme näyttää, että kännykkäakuissa on paljon kehitettävää

Älypuhelinvalmistaja realme julkaisee ensi viikolla uudet realme 14 5G- ja realme 14T -mallit, jotka nostavat erityisesti akunkeston uudelle tasolle. Uutuusmallit on suunniteltu tarjoamaan poikkeuksellisen pitkän käyttöajan, ja ne haastavat kilpailijat keskiluokan älypuhelinmarkkinoilla.

EU:n Chips Act saa kovaa kritiikkiä: tavoitteet epärealistisia

Euroopan tilintarkastustuomioistuin on esittänyt voimakasta kritiikkiä EU:n puolijohdestrategiaa, eli niin sanottua Chips Actia, kohtaan. Tuoreessa raportissaan tuomioistuin toteaa, että ohjelman keskeinen tavoite – nostaa EU:n osuus kehittyneiden ja energiatehokkaiden puolijohteiden maailmanlaajuisesta tuotannosta 20 prosenttiin vuoteen 2030 mennessä – on nykymenolla saavuttamattomissa.

C++ sopii piirien suunnitteluun, mutta ei aina

Diplomi-insinööri Sakari Lahden tuore väitöskirjatutkimus Tampereen yliopistosta osoittaa, että korkean tason synteesi voi jopa puolittaa piirien kehitystyöhön kuluvan ajan verrattuna manuaaliseen RTL-suunnitteluun. Erityisesti FPGA-pohjaisissa projekteissa HLS tarjoaa huomattavan tuottavuushyödyn, kun aikaa vievät mikroarkkitehtuurin yksityiskohdat jätetään automaattisen työkalun huoleksi.

Uudenlainen valoanturi kiihdyttää optisen datansiirron nopeuden jopa 10-kertaiseksi

Elektroniikka- ja materiaaliteknologiayhtiö TDK on esitellyt vallankumouksellisen uuden valoanturin, joka lupaa kiihdyttää optisen datansiirron nopeuden jopa kymmenkertaiseksi nykyisiin teknologioihin verrattuna. Kyseessä on Spin Photo Detector – niminen muunnoselementti, joka yhdistää optiikan, elektroniikan ja magneettisuuden täysin uudella tavalla.

Tämän piti olla melkein mahdotonta – Wi-Fi 7 tulee IoT-käyttöön

Synaptics on rikkonut odotuksia tuomalla Wi-Fi 7 -teknologian kevyisiin ja vähävirtaisiin IoT-laitteisiin. Yhtiön uusi Veros-sarjan piiri tarjoaa huippunopeuden, matalan latenssin ja monipuolisen yhdistettävyyden, mikä avaa uusia mahdollisuuksia älylaitteille.

Rekoistakin pitää tulla hiilivapaita

Maantiekuljetukset ovat elintärkeitä talouselämälle. Kuorma-autoilla kuljetetaan ruokaa, tarvikkeita, materiaaleja ja monia muita tavaroita mihin tahansa paikkaan. Vaikka keskiraskaiden ja raskaiden kuorma-autojen osuus maailman ajoneuvoista on vain neljä prosenttia, niiden osuus tieliikenteen hiilidioksidipäästöistä on 40 prosenttia, tehden niistä kasvihuonekaasupäästöjen päälähteen, joka on otettava huomioon pyrittäessä kohti hiilivapautta.

Lue lisää...

Kovaa käyttöä kestävät koneet voi ostaa palveluna

Kenttätyö vaatii kovia koneita – ja nyt ne saa palveluna. Panasonicin uusi Toughbook Mobile-IT As-A-Service (MaaS) -ratkaisu mullistaa tavan, jolla liikkuvaa työtä tukevat laitteet ja IT-palvelut hankitaan ja hallitaan. Ei enää isoja kertahankintoja, pitkiä IT-projekteja tai laitteiden elinkaaren miettimistä – nyt saat kaiken tarvittavan helposti ja kuukausimaksulla.

Lue lisää...

 

Tule tapaamaan meitä tulevissa tapahtumissamme.
R&S-seminaareihin saat kutsukirjeet ja uutiskirjeet suoraan sähköpostiisi, kun rekisteröidyt sivuillamme.
 
R&S -seminaari: 6G
Oulussa 13.5.2025 (rekisteröidy)
Espoossa 14.5.2025 (rekisteröidy)
 
R&S -seminaari: Calibration
Tampereella 22.5.2025 (rekisteröidy)
 
R&S -seminaari: Aerospace & Defence Testing
Tampereella 5.6.2025. Tiedustelut asiakaspalvelu@rohde-schwarz.com
 

 

LATEST NEWS

NEW PRODUCTS

 
 
article