logotypen
 
 

IN FOCUS

Suojaa datasi kunnolla

SSD-levyt tarjoavat luontaisesti korkean luotettavuuden kaikentyyppisiin sovelluksiin, aina aloitustason kuluttajalaitteista kriittisiin järjestelmiin. Asianmukaiset tietosuojamekanismit voivat maksimoida levyn käyttöiän toteuttamalla ennaltaehkäiseviä toimenpiteitä tarpeen mukaan, kertoo Silicon Motion artikkelissaan.

Lue lisää...

Tehojärjestelmissä puhutaan nyt uusista laajan kaistaeron materiaaleista. Mutta mitä GaN- tai SiC-komponenttien käyttäminen edellyttää ja mihin sillä voidaan päästä? Future Electronicsin tekemä vertailu kertoo paljon.

Perinteinen piipohjainen teho-MOSFET on helposti saatavilla oleva edullinen komponentti, joka on varmasti jatkossakin tehokytkinten perusta vuosien ajan. Suurjännitemuuntimissa sen rajoitukset ovat kuitenkin ilmeisiä. Kytkentähäviöt ovat suuret, mikä johtuu pii-MOSFETin rakenteen ominaisuuksista.

Tämän ongelman ratkaisemiseksi sekä tehokkuuden ja kytkennän parantamiseksi tehojärjestelmien suunnittelijat ovat ottaneet käyttöön useita topologioita, joissa kytkentä onnistuu nollajännitteellä ja/tai nollavirralla. Nämä topologiat ovat kuitenkin monimutkaisia ja edellyttävät monimutkaisten ohjausjärjestelmien käyttöä ja suurta määrää komponentteja.

Kuva 1. GaN HEMT -pohjainen half-bridge -kortti Panasonicin GaN-kytkimillä.

Uuden sukupolven virtakytkimet, jotka on valmistettu laajan kaistaeron galliumnitridi- tai piikarbidimateriaaleista, ovat antaneet suunnittelijoille mahdollisuuden harkita uusien virtatopologioiden käyttöä, jotka ovat yksinkertaisempia toteuttaa ja käyttävät vähemmän komponentteja. Silti niillä saavutetaan huomattavasti parempi tehokkuus. Tämä johtuu siitä, että sekä GaN- että SiC-virtakytkimillä on luonnostaan pienemmät häviöt kytkettäessä suoraan suurjännitteestä.

Sillaton toteeminapainen PFC-topologia (Power Factor Correction) herättää erityistä kiinnostusta suuritehoisissa järjestelmissä. PFC-konfiguraatiossa yksi aktiivisilla kytkimillä varustettu puolisilta (half-bridge) joko korkean liikkuvuuden eli HEMT-GaN-transistoreilla (High Electron Mobility Transistors) tai SiC-MOSFETeilla tukee kytkentää minimaalisilla häviöillä.

Tämä kuulostaa hyvältä, mutta tosielämän toteutukset osoittavat, että laitteen kotelo, ohjaimen valinta ja piirilevyn asettelu vaikuttavat merkittävästi laajan kaistaeron piirien suorituskykyyn kytkettäessä suurella jännitteellä. Future Electronicsin tehojärjestelmien suunnittelutiimi yhtiön Eghamin osaamiskeskuksessa on testannut ja vertaillut erilaisia half-bridge -kokoonpanoja käyttämällä sekä GaN HEMT- että SiC MOSFET -piirejä sillattomassa toteeminapaisessa PFC-topologiassa. Tässä artikkelissa esitellään vertailun tuloksia ja ehdotetaan parhaita ratkaisuja laajan kaistaeron tehokomponenttien käyttämisestä suuren jännitteen kytkentäjärjestelmiin.

GaNdalf-EVALUOINTIALUSTA

Eri komponenttien arviointi tehtiin GaNdalf-alustalla, joka on modulaarinen sillattomalla PCF-piirillä toteutettu kehityskortti. Se tuottaa 400 voltin DC-lähdön verkkovirrasta. GaNdalf-kortissa on laajennusliitäntä, joka mahdollistaa useiden puolisiltakorttien helpon vertaamisen. Nämä voivat olla joko GaN HEMT- tai SiC MOSFET -kortteja eristetyillä ajureilla ja DC-DC-virtalähteillä.

Vertailukohdaksi eri kytkinkokoonpanoille oli puolisiltakortti, jossa käytettiin Panasonicin PGA26E06BA GaN -kytkimiä nopeiden opto-kytkimien eristämänä ja Panasonicin nopeita GaN-ohjaimia (AN34092B) (kuva 1). Tämä järjestelmä saavutti 99 prosentin hyötysuhteen syötettäessä jopa 1 kilowatin kuormia.

Uusien puolisiltakorttien käyttöönotto antoi osaamiskeskuksen suunnittelijoille mahdollisuuden tavoitella suurempia tehoja ja parempaa lämpösuorituskykyä, ja samalla pienentää ajuripiiristön kustannuksia.

Futuren kehittäjät pääsivät myös arvioimaan 600-700 volttiin mitoitettujen SiC MOSFET -piirien etuja 3- tai 4-nastaisissa TO-247-koteloissa. jotka mahdollistivat parempia vaihtoehtoja lämmön poisjohtamiseen.

GaN: LÄMMÖNHALLINTA MIETITYTTÄÄ

Ensimmäiset GaN-pohjaiset puolisiltakortit ovat Infineonilta, Panasonicilta ja Exaganilta. Niiden vastusarvot vaihtelevat välillä 30-190 milliohmia (mΩ). Laitteet toimitetaan pohjapuolelta jäähdytetyissä pintaliitettävissä koteloissa, joissa on 60-80 neliömillimetrin lämpötyynyt.

Piirilevyn rakenne on esitetty kuvassa 2. Jäähdytyselementti (4°C/W) on kytketty puolisiltakorttien kääntöpuolelle ja kytketty sähköisesti PFC-vaiheen ulostulopotentiaaliin. Lämpökosketuspinta jäähdytyselementistä lämpöeristystyynyn ja PCB-pohjakerroksen välillä oli tyypillisesti 300 neliömillimetriä.

Kuva 2. Ylhäältä jäähdytetty GaN HEMT -kokoonpano.

GaN HEMT -piirit tuottavat nopean kytkentänsä takia merkittävästi kohinaa, ja niiden dV/dt-arvo on usein yli 100 V/ns. Suunnittelijan on rajoitettava kohinaa minimoimalla kapasitiivinen kytkentää puolisillan nopeasti kytkevän solmun ja muiden solmujen välillä (ja sen jälkeen maapotentiaaliin). Tämä on kuitenkin ristiriidassa optimaalisen lämmönhallinnan saavuttamisen kanssa, koska GaN HEMT:n lämpöreitti on puolisillan nopea kytkentäsolmu. Vaikka kapasitiivista kytkentää piirilevyn yli voidaan hallita, jotkut kapasitiiviset kytkennät jäähdytyselementtiin ovat väistämättömiä.

GaN-kytkinjärjestelyn sähköisten ja termisten näkökohtien välinen ristiriita vaikutti näiden puolisilta-korttien toimintaan. Korkea kohinataso esti kortin oikean toiminnan, vaikka käytetyt porttiajurit mahdollistivat transienttien immuniteetille yli 100 V/ns arvot.

Futuren kehittäjien oletuksena oli, että ongelman syy oli kapasitiivinen kytkentä jäähdytysele-menttiin. Sen arvoksi laskettiin noin 20 pikofaradia. Jäähdytys-elementin kosketusalueen pienentäminen 300 neliömillimetristä 100 neliömillimetriin pienensi kapasitiivisen kytkennän alle 10 pikofaradiin ja paransi siten kohina-arvoa niin, että kortin toiminta saatiin riittävän hyväksi. Nopeasti kytkevän solmun kosketusalueen pienentäminen kuitenkin väistämättä heikentää lämmön johtumista ja vähentää kuormaa, jota pohjapuolelta jäähdytettyihin GaN-piireihin perustuva järjestelmä voi syöttää ilman tuuletinjäähdytystä.

PÄÄLTÄ JÄÄHDYTTÄMINEN PARANTAA SUORITUSKYKYÄ

Yläpuolelta jäähdytetyn kotelon käyttö poistaa edellä kuvatun ongelman: nyt sähkö- ja lämpöreitit voidaan erottaa.

Ero suorituskyvyssä käytettäessä samaa puolisiltakorttimallia yläpuolelta jäähdytettyjen 70 milliohmin GaN-kytkimien kanssa on huomattava. Ratkaisu toimi erittäin hyvin ilman kohinaongelmia. 99 prosentin hyötysuhteen saavuttava kortti, jossa on ylhäällä asennettu 4°C/W-jäähdytyselementti eikä pakotettua tuuletusta, säilytti kotelon lämpötilan noin 80 asteessa 25-asteisessa tilassa, kun siitä syötettiin 2 kilowatin lähtöä 220 voltin AC-tulosta.

Futuren kehittäjien kokemus GaNdalf-alustasta osoittaa, että GaN-kytkimiin perustuvissa sillattomissa toteeminapaisissa PFC-piireissä, jotka toimivat yli 1 kilowatin tehotasoilla, suositellaan yläpuolelta jäähdytettyjä koteloita, jos järjestelmää on tarkoitus ajaa ilman pakotettua tuuletusta.

SiC MOSFET: ONGELMIA TO-247-KOTELOISSA

GaNdalf-kehitysalustan modulaarisen rakenteen etuna on, että se helpottaa GaN- ja SiC-laitteiden suoraa vertailua. Eghamin tiimi odotti, että SiC MOSFET -tekniikoihin perustuvat puolisilta-kortit tarjoavat hieman alhaisemman tehokkuuden kuin GaN-pohjaiset järjestelmät. Tämä johtuu siitä, että SiC MOSFET -laitteet, joilla on hitaampi dV/dt ja käänteisen palautumisen häviöt suuremmat, tuottavat suurempia kytkentähäviöitä.

GaN HEMT -laitteisiin verrattuna SiC MOSFET -laitteita on saatavana enemmän ja useammilta valmistajilta, esimerkiksi Microchipiltä, ON Semiconductorilta, STMicroelectronicsilta, Infineonilta ja ROHM Semiconductorilta. Lisäksi 600-700 voltin SiC MOSFET -laitteiden hinnat laskevat nopeasti. Kaikissa uusissa sillatonta toteeminastaista PFC-topologiaa käyttävissä projekteissa saattaa siksi joutua arvioimaan SiC MOSFET -toteutusta.

SiC MOSFET -laitteita toimitetaan sekä 3- että 4-johtimisissa TO-247-koteloissa, mutta tässä tutkimuksessa keskityttiin 4-johtimiseen TO-247-koteloon, joka sisältää lisäksi niin sanotun Kelvin-liitännän. Kehittäjien arviointi paljasti jonkin verran suorituskyvyn vaihtelua sekä toiminnassa että kohinassa eri piirien välillä.

Jotkut piirit toimivat hyvin ja tuottivat lähes 99 prosentin PFC-hyötysuhteen hyvällä kytkennän suorituskyvyllä. Toiset tuottivat alkuun suhteellisen heikkoja kytkentäaaltomuotoja ja gene-roivat sen verran kohinaa, että se vaikutti suorituskykyyn. Yhdessä tapauksessa kohinan vaikutus suorituskykyyn oli pieni.

Testitulokset kertoivat hyvästä hyötysuhteesta, mutta kotelon lämpötila nousi 10 °C korkeammalle kuin vastaavissa laitteissa havaittu. Harmoninen kokonaissärö (THD) oli myös jopa 8 prosenttia suurempi. Lokidatan yksityiskohtainen analyysi osoitti, että tulovirran aaltomuoto oli vääristynyt: tulovirran AC-virta-jakson negatiivinen puoli oli hieman litistynyt.

Laitetoimittajien kanssa tehdyssä perusteellisessa tutkimuksessa tunnistettiin ilmiön perimmäinen syy: joidenkin SiC MOSFET -laitteiden portti-nielu-kapasitanssi (Cgd) voi olla suhteellisen suuri. Yhdistettynä matalaan kynnysjännitteeseen tämä ominaisuus voi altistaa MOSFETin ns. Millerin käynnistysvaikutuksille. Lisäksi sisäisistä kapasitansseista johtuva jännitteen kytkentä voi johtaa huonoon kytkentäaaltomuotoon ja ei-toivottuihin ristiinjohtumisen vaikutuksiin.

Onneksi tähän on lääke. Future Electronicsin suositus on tarkistaa SiC MOSFETin Cgd-luokitus ja hila-lähde-kapasi-tanssin (Cgs) suhde Cgd:een datalehdistä. Jos Cgd on suhteellisen suuri, saattaa kannattaa valita porttiohjain Miller-taso-lukitus-toiminnolla. Tähän esimerkiksi STMicroelectronicsin STGAP2SCM on sopiva tuote. Jos Cgs:n ja Cgd:n suhde on alhainen, on suositeltavaa lisätä Cgs:tä käyttämällä ulkoista kondensaattoria.

Eghamin osaamiskeskuksen GaNdalf-alustaan perustuvassa arvioinnissa (Millerin) tasolukitus-toimintoa käyttävä ohjain yhdistettynä Cgs-lisäkapasitanssiin paransi kytkentätehoa ja järjestelmän kokonaistoimintaa, mikä johti huomattavasti parantuneeseen hyötysuhteeseen, parempaan harmoniseen kokonaissäröön ja myös parempiin kytkentäaaltomuotoihin.

TUTKIMUS TUKEE SUOSITUKSIA

GaNdalf-alusta tarjoaa ihanteellisen perustan tutkia yksityiskohtaisesti sekä GaN- että SiC-laitteiden toimintaa suurella jännitteellä kytkettäessä. Future Electronicsin osaamiskeskuksen tutkijoiden toteuttama vertaileva tutkimus paljasti joitain tärkeitä käytännön tuloksia, joita tehojärjestelmien suunnittelijat voivat hyödyntää.

Erityisen selvää on, että pintaliitettävät kotelot, joissa on yläpuolinen jäähdytys, tarjoavat parhaat kokonaistulokset käytettäessä GaN HEMT -piirejä, joissa tehotasot ylittävät 1 kilowatin ja joissa ei haluta käyttää tuulettimen jäähdytystä.

GaNdalf-piirilevy osoitti myös, että piikarbidilaitteet ylletään hyötysuhteessa hyvin lähelle GaN HEMT -laitteiden lukemia, tehoa pienemmiksi, kun taas piikarbidipohjaiset MOSFETit ovat hinnaltaan houkuttelevia ja laajalti saatavissa.

Jotkut 4-johtimisissa TO-247-koteloissa olevat SiC MOSFET -piirit voivat kärsiä kohinaongelmista ja olla alttiita Miller-vaikutukselle, jossa Cgd on suhteellisen suuri. Monissa tapauksissa nämä ongelmat voidaan ratkaista käyttämällä ohjainta, jolla on aktiivinen tasolukitustoiminto, ja ulkoista Cgs-kapasitanssia kytkentäaaltomuotojen parantamiseksi.

 

Future Electronicsin David Woodcockin kirjoittama artikkeli löytyy uudesta ETNdigi-lehdestä. Sitä pääset lukemaan täällä.

MORE NEWS

Kiinalaistutkijat kehittivät piilolinssin, jolla näkee pimeässä

Kiinalaiset tutkijat ovat onnistuneet kehittämään maailman ensimmäisen piilolinssin, jonka avulla ihminen voi nähdä pimeässä – ainakin tietyissä olosuhteissa. Innovaatio perustuu infrapunavaloon ja sen muuntamiseen näkyväksi valoksi silmälle.

ST:ltä kova saavutus: kaksi kiihtyvyysanturia samaan koteloon

STMicroelectronics on tehnyt merkittävän teknologisen läpimurron julkaisemalla uuden sukupolven älyanturin, joka yhdistää kaksi erillistä kiihtyvyysanturia samaan poikkeuksellisen pieneen (3 x 2,5 mm) koteloon. Tämä on ensimmäinen kerta, kun samassa moduulissa yhdistyy laajalle G-voima-alueelle skaalautuva mittauskyky, sulautettu tekoäly ja erittäin tarkka liikkeentunnistus.

Näin QR-huijaus toimii

QR-koodit ovat tulleet osaksi arkea: niitä käytetään ravintolamenuihin tutustumiseen, maksamiseen ja nopeaan kirjautumiseen eri palveluihin. Mutta juuri tämä tuttuus tekee niistä vaarallisia. Rikolliset ovat alkaneet hyödyntää QR-koodeja huijauksiin, joissa ihmiset johdatellaan huomaamatta väärennetyille sivustoille. Näillä sivuilla uhrilta kalastellaan henkilökohtaisia tietoja – kuten pankkitunnuksia – tai pyritään asentamaan haittaohjelmia hänen laitteelleen.

Halvoissa Android-televisiobokseissa vakavia tietoturvariskejä

Liikenne- ja viestintävirasto Traficom kehottaa kuluttajia olemaan tarkkana Android TV -medialaitteiden hankinnassa. Markkinoilla liikkuu erityisesti tuntemattomien valmistajien edullisia laitteita, joissa on havaittu vakavia tietoturvaongelmia – osa laitteista on jopa sisältänyt haittaohjelmia suoraan pakkauksesta.

3D-tulostus on tie kestävään elektroniikkavalmistukseen

ETN - Technical articlePerinteinen elektroniikan valmistus perustuu prosesseihin, jotka johtavat usein materiaalihävikkiin, korkeisiin työkalukustannuksiin ja merkittäviin varastointikuluihin. Viime vuosina lisäävä valmistus (additive), erityisesti 3D-tulostus, on kuitenkin alkanut nousta varteenotettavaksi vaihtoehdoksi elektroniikan valmistuksessa, sillä se tarjoaa lisää suunnittelun joustavuutta sekä mahdollisia ympäristö- ja taloudellisia etuja.

Xiaomi yllättää tehokkaalla kännykkäprosessorillaan

Xiaomi on julkistanut uuden huipputehokkaan älypuhelinprosessorinsa, XRING O1:n, joka merkitsee yhtiön suurta askelta kohti siruomavaraisuutta ja teknologista johtajuutta. Uutuus esiteltiin yhtiön "A New Beginning" -lanseeraustapahtumassa Pekingissä, jossa esillä olivat myös Xiaomi 15S Pro -älypuhelin, Pad 7 Ultra -tabletti sekä useita AIoT-laitteita.

Nyt se tapahtui: BYD ohitti Teslan

BYD on ohittanut Teslan Euroopan myydyimpänä täyssähköautojen valmistajana ensimmäistä kertaa historiassa, kertoo tuore JATO Dynamicsin raportti. Huhtikuussa 2025 Euroopassa rekisteröitiin 7231 täyssähköistä BYD-mallia, kun Tesloja myytiin 7165 kappaletta.

Yksi piiri pidentää langattoman laitteen käyttöaikaa

Elektroniikan komponenttien jakelija Rutronik on lisännyt tuotevalikoimaansa Nordic Semiconductorin uuden nPM2100-virranhallintapiirin, joka on suunniteltu erityisesti ensisijaisilla paristoilla toimivien laitteiden energiatehokkaaseen virranhallintaan.

Autoon tulee tekoäly ja suoja kvanttihyökkäyksiä vastaan

Autojen ohjelmistoistuminen ja jatkuva verkkoyhteys tekevät niistä alttiita yhä kehittyneemmille kyberuhille. NXP:n uusi OrangeBox 2.0 -kehitysalusta vastaa tähän haasteeseen yhdistämällä tekoälypohjaisen kyberturvan, kvanttikestävän salauksen ja ohjelmisto-ohjatun verkkoinfrastruktuurin yhteen järjestelmään.

Näin otat tekoälyn käyttöön teollisuudessa

Vaikka monet organisaatiot ovat jo ottaneet käyttöön perinteisiä tekoälyagentteja, tie täysin autonomisiin tekoälyagentteihin voi sisältää haasteita. Tekemällä strategisia investointeja ja omaksumalla metodisen lähestymistavan agenttien skaalaamiseen, sekä niiden erityisten roolien määrittelyyn, teollisuusyritykset voivat päästä loputtomalta tuntuvien kokeilujen yli ja alkaa nauttia tekoälyagenttien hyödyistä todellisessa elämässä, kirjoittaa teollisuuden ohjelmistoja kehittävän IFS:n tekoälyjohtaja Bob De Cuax.

Kaikista Intelin prosessoreista löytyi täysin uusi haavoittuvuus

Tietoturvatutkijat Sveitsin ETH Zürichin yliopistosta ovat löytäneet uuden, vakavan haavoittuvuuden Intelin prosessoreista. Kyseessä on täysin uusi haavoittuvuusluokka, jota kutsutaan nimellä Branch Privilege Injection. Se perustuu tapaan, jolla prosessorit ennakoivat tulevia laskentatehtäviä suorituskyvyn parantamiseksi.

Suomesta halutaan kvanttiturvallinen

Suomi ottaa merkittävän askeleen kohti kvanttiturvallista digitaalista tulevaisuutta. Uusi laaja tutkimushanke, Beyond the Limits of Post-Quantum Cryptography (BLimPQC), pyrkii varmistamaan, että suomalainen yhteiskunta ja teollisuus kykenevät puolustautumaan kvanttitietokoneiden aiheuttamia tietoturvauhkia vastaan.

Suosittu kehittäjäkortti sai neljä ydintä ja grafiikkaprosessorin

BeagleBoard.orgin tunnettu PocketBeagle-kehittäjäkortti on saanut merkittävän päivityksen uudessa PocketBeagle 2 -versiossa. Uudistuksessa laitteeseen on lisätty neliytiminen suoritin ja ensimmäistä kertaa myös grafiikkaprosessori, mikä avaa entistä laajempia mahdollisuuksia sulautettujen järjestelmien kehittämiseen.

Tehoa ja tarkkuutta teolliseen skannaukseen

Saksalainen piirivalmistaja iC-Haus tuo markkinoille uuden iC-LFMB-lineaarikuvakennon, joka vastaa teollisuuden kasvaviin vaatimuksiin tarkkuuden, suorituskyvyn ja helpon integroitavuuden osalta. Uutuustuote esitellään Laser World of Photonics 2025 -messuilla Münchenissä.

Lidarin moottori yhdelle sirulle

Analogiatekniikan edelläkävijä Silanna Semiconductor on lanseerannut uuden FirePower-sarjan laserajuripiirit, jotka yhdistävät ensi kertaa korkean jännitteen latauksen ja laserin laukaisun yhdelle sirulle. Uutuus mahdollistaa merkittävän tilansäästön ja tehohäviöiden pienentämisen esimerkiksi autojen ADAS-järjestelmien lidareissa.

Virve 2 saa suojatut ryhmävideopuhelut

Erillisverkkojen operoima viranomaisverkko Virve 2 saa merkittävän lisäpalvelun, kun Modirumin kehittämä NSC3 Group Video Service otetaan käyttöön. Kyseessä on reaaliaikainen, tietoturvallinen ryhmävideopalvelu, joka on suunniteltu erityisesti viranomaisten ja muiden turvallisuustoimijoiden tarpeisiin.

Kenttälaitteita helposti teollisuusverkkoon

STMicroelectronics on julkaissut uuden modulaarisen IO-Link-kehityspaketin, jonka tavoitteena on tehdä älykkäiden kenttälaitteiden liittäminen teollisuusverkkoon helpommaksi kuin koskaan. Uusi P-NUCLEO-IOD5A1-paketti tarjoaa kaiken tarvittavan IO-Link-yhteensopivan sensorin tai toimilaitteen (aktuaattorin) kehittämiseen – sekä laitteiston että ohjelmiston.

Silmää seuraavat lasit teollisuuteen

Tukholmalainen teknologiayritys Tobii on lanseerannut uuden Glasses X -silmänseurantatuotteen, joka on suunnattu erityisesti teollisuuden ja muiden vaativien alojen tarpeisiin. Uutuuslaseilla voidaan seurata käyttäjän katsetta reaaliajassa, mikä tarjoaa yrityksille arvokasta tietoa esimerkiksi koulutuksen, laadunvalvonnan ja turvallisuuden kehittämiseen.

Kovien olojen läppäri laitetaan kovaan testiin

Panasonicin kenttäkäyttöön suunniteltu Toughbook G2 altistetaan äärimmäiselle rasitukselle, kun seikkailujuoksija Jukka Viljanen juoksee halki Islannin suurimman jäätikön, Vatnajökullin, ilman tukitiimiä. Hänellä on ainoana henkilökohtaisena varusteenaan mukana kyseinen kannettava tietokone.

Kvanttitason salaus laitetasolla

Tietoturvassa valmistaudutaan kvanttikauteen. Microchip Technology on julkaissut uuden MEC175xB-sarjan sulautetut ohjaimet, jotka sisältävät laitetasolla toteutettua kvanttiturvallista salausta. Uutuustuote vastaa nopeasti kehittyvän kyberturvallisuusympäristön tarpeisiin, kun kvanttitietokoneiden mahdollinen uhka nykyisille salausmenetelmille kasvaa.

3D-tulostus on tie kestävään elektroniikkavalmistukseen

ETN - Technical articlePerinteinen elektroniikan valmistus perustuu prosesseihin, jotka johtavat usein materiaalihävikkiin, korkeisiin työkalukustannuksiin ja merkittäviin varastointikuluihin. Viime vuosina lisäävä valmistus (additive), erityisesti 3D-tulostus, on kuitenkin alkanut nousta varteenotettavaksi vaihtoehdoksi elektroniikan valmistuksessa, sillä se tarjoaa lisää suunnittelun joustavuutta sekä mahdollisia ympäristö- ja taloudellisia etuja.

Lue lisää...

Näin otat tekoälyn käyttöön teollisuudessa

Vaikka monet organisaatiot ovat jo ottaneet käyttöön perinteisiä tekoälyagentteja, tie täysin autonomisiin tekoälyagentteihin voi sisältää haasteita. Tekemällä strategisia investointeja ja omaksumalla metodisen lähestymistavan agenttien skaalaamiseen, sekä niiden erityisten roolien määrittelyyn, teollisuusyritykset voivat päästä loputtomalta tuntuvien kokeilujen yli ja alkaa nauttia tekoälyagenttien hyödyistä todellisessa elämässä, kirjoittaa teollisuuden ohjelmistoja kehittävän IFS:n tekoälyjohtaja Bob De Cuax.

Lue lisää...

 

Tule tapaamaan meitä tulevissa tapahtumissamme.
R&S-seminaareihin saat kutsukirjeet ja uutiskirjeet suoraan sähköpostiisi, kun rekisteröidyt sivuillamme.
 
R&S -seminaari: Calibration
Tampereella 22.5.2025 (rekisteröidy)
 
R&S -seminaari: Aerospace & Defence Testing
Tampereella 5.6.2025. Tiedustelut asiakaspalvelu@rohde-schwarz.com
 

 

LATEST NEWS

NEW PRODUCTS

 
 
article