Tehokomponenttien valmistaja SemiQ on julkistanut uuden sukupolven 1200V SiC MOSFET -komponentin, joka pienentää sirukokoa samalla parantaen kytkentänopeutta ja tehokkuutta. Uusi QSiC 1200V -MOSFET on 20 % pienempi kuin edeltäjänsä, mutta tarjoaa merkittävästi parempaa suorituskykyä suurjännitesovelluksissa. Tämä kuvaa hyvin sitä nopeaa kehitystä, joka piikarbidikomponenteissa on tällä hetkellä käynnissä.
SemiQ:n uutuus on suunnattu laajaan sovellusalueeseen, mukaan lukien sähköautojen latausasemat, aurinkoenergian invertterit, teollisuuden virtalähteet ja induktiolämmitysratkaisut.
QSiC 1200V -MOSFET tarjoaa 1200V drain-to-source-jännitteen, pienentää kokonaiskytkentähäviöt 1646 µJ:een ja sen on-resistanssi on vain 16,1 mΩ. Komponentti on saatavilla on sekä paljaana siruna että nelinapaisessa TO-247 4L -kotelossa, jonka mitat ovat 31,4 x 16,1 x 4,8 millimetriä.
Tunnetun hyviksi testatut (Known Good Die, KGD) sirut on testattu yli 1400V:n jännitteellä ja ne ovat läpäisseet 800 mJ:n avalanche-testauksen. Luotettavuutta lisää myös 100 % wafer-tason porttioksidien polttotesti ja yksittäispakattujen komponenttien 100 % UIL-testit.
Suunniteltu nopeaan kytkentään ja parempaan tehokkuuteen
QSiC 1200V MOSFET on kehitetty erityisesti parantamaan kytkentänopeutta ja vähentämään häviöitä. Sen alhainen reverse recovery -varaus (QRR 470 nC) ja pienempi kapasitanssi parantavat kytkentäominaisuuksia, vähentävät EMI-häiriöitä ja nostavat kokonaishyötysuhdetta. Uutuus-MOSFET esitellään ensi kertaa Applied Power Electronics Conference (APEC) -tapahtumassa Atlantassa maaliskuun puolivälissä.
Virtaamamittaus on monissa laitteissa kriittinen mutta usein ongelmallinen toiminto. Perinteiset mekaaniset anturit kuluvat ja jäävät sokeiksi pienille virtausnopeuksille. Ultraäänitekniikkaan perustuvat valmiit moduulit tarjoavat nyt tarkan, huoltovapaan ja helposti integroitavan vaihtoehdon niin kuluttaja- kuin teollisuussovelluksiin.