Gallium-nitridi on materiaali, joka on mullistanut latauksen. Nopeus perustuu piitä selvästi nopeampaan kytkentään, mutta samalla tämä on asettanut haasteita elektroniikan ohjaukselle. Vanhat ohjaimet eivät ole pysyneet mukana. ROHM korjaa ongelman uudella pulssiohjaustekniikallaan.
Yhtiön kehittämän Nano Pulse Control -tekniikan avulla voidaan parantaa ohjauspulssin leveyttä. Kun vanhoilla ohjaimilla kytkentää säädettiin 9 nanosekunnin pulsseilla, ROHM:n uudet ohjaimet kutistavat ajan 2 nanosekuntiin. Tämän ansiosta voidaan maksimoida GaN-piirien suorituskyky.
Teholähdepiirin miniatyrisoinnissa on välttämätöntä pienentää oheiskomponenttien kokoa nopealla kytkennällä. Tämän saavuttaminen vaatii ohjauspiirin, joka voi hyödyntää nopeiden kytkinlaitteiden, kuten GaN-laitteiden, suorituskykyä. ROHM:n uudet ohjaimet hyödyntävät patentoitua analogista virtalähdetekniikkaa.
ROHM:n uusi ohjaustekniikka yhdistää analoginen asiantuntemus piirisuunnittelusta, prosesseista ja sijoittelusta. Tämä vähentää merkittävästi ohjauspiirin vähimmäisohjauspulssin leveyttä tavanomaisesta 9 nanosekunnista kahteen uudenlaisen piirikonfiguraation avulla, jolloin on mahdollista siirtyä korkeista jännitteistä (60 V) matalaan 0,6 voltin jännitteeseen yhdellä virtalähteen piirillä sekä 24V ja 48V sovelluksissa.
Lisäksi ratkaisulla voidaan kutistaa tarvittavien komponenttien vaatimaa alaa jopa 86 prosenttia perinteisiin ratkaisuihin verrattuna, kun ne yhdistetään EcoGaN-virtalähdepiiriin.
ROHM työskentelee parhaillaan tätä tekniikkaa käyttävien ohjauspiirien kaupallistamiseksi. Suunnitelmissa on aloittaa 100 V:n 1-kanavaisen piirin näytteiden toimittaminen vuoden toisella puoliskolla.
Lisätietoja tekniikasta ROHM:n sivuilta.
