Renesas on esitellyt ensimmäisenä maailmassa täydellisen liitäntäpiirisarjan toisen sukupolven DDR5 Multi-Capacity Rank Dual In-Line Memory Module -muistimoduuleille (MRDIMM). Tämä merkittävä innovaatio vastaa tekoälyn (AI), korkean suorituskyvyn laskennan (HPC) ja datakeskusten jatkuvasti kasvaviin suorituskykyvaatimuksiin.
Uudet DDR5 MRDIMM -moduulit saavuttavat jopa 12 800 megasiirtoa sekunnissa (MT/s), mikä tarkoittaa 1,35-kertaista muistikaistanleveyden kasvua ensimmäisen sukupolven ratkaisuihin verrattuna. Renesas on kehittänyt MRDIMM-moduulit tiiviissä yhteistyössä alan johtavien toimijoiden, kuten suorittimien ja muistien valmistajien sekä loppuasiakkaiden kanssa.
Renesas on suunnitellut kolme keskeistä komponenttia, jotka mahdollistavat toisen sukupolven MRDIMM-teknologian. Ensimmäinen siru ion RRG50120 (MRCD, Multiplexed Registered Clock Driver), joka vastaa käskyjen ja osoitteiden signaalien sekä kellojen välittämisestä isäntäohjaimen ja DRAM-muistien välillä. Tämä piiri kuluttaa 45 prosenttia vähemmän energiaa kuin edeltäjänsä, mikä on merkittävä parannus erityisesti erittäin nopeiden järjestelmien lämmönhallinnan näkökulmasta.
Toinen komponentti on RRG51020 (MDB, Multiplexed Data Buffer), on avainasemassa välittäessään dataa isäntäprosessorilta DRAM-muisteille. Se mahdollistaa tiedonsiirtonopeuden, joka voi nousta jopa 12,8 gigabittiin sekunnissa. Kolmas piiri on tehonhallintapiiri RRG53220, joka vastaa tehonohjauksesta ja esimerkiksi ylirasitussuojauksesta. Tämä piiri on optimoitu suurivirtaisiin ja matalajännitteisiin käyttöympäristöihin, mikä tekee siitä ihanteellisen korkean suorituskyvyn laskentajärjestelmiin.
Renesas on aloittanut piirien näytetoimitukset ja niiden odotetaan olevan tuotantovalmiita vuoden 2025 ensimmäisellä puoliskolla. Lisätietoja täältä.