Generatiivisen tekoälyn kasvu ei enää rasita vain GPU-piirejä ja palvelinprosessoreita. Nyt paine siirtyy datakeskusten sähköjärjestelmiin, joissa kasvavat AI-kuormat pakottavat valmistajat etsimään uusia ratkaisuja tehonmuunnokseen, jäähdytykseen ja energiahäviöiden hallintaan. Toshiba vastaa tähän esittelemällä uuden 1200 voltin SiC-MOSFETin, joka on suunnattu erityisesti seuraavan sukupolven AI-datakeskuksiin.
Yhtiön uusi TW007D120E on trench-gate-rakenteinen pii-karbiditransistori, joka tukee 800 voltin HVDC-arkkitehtuureja. Kyse on merkittävästä muutoksesta datakeskusten sähkönjakelussa. AI-palvelimien tehonkulutus on kasvanut niin suureksi, että perinteiset matalammat käyttöjännitteet alkavat aiheuttaa liikaa lämpöä, kuparihäviöitä ja jäähdytysongelmia.
Toshiban mukaan uusi komponentti pienentää transistorin pinta-alaan suhteutettua johtoresistanssia noin 58 prosenttia verrattuna aiempaan 1200 voltin SiC-sukupolveen. Samalla kokonaistehokkuutta kuvaava RDS(on) × Qgd paranee noin 52 prosenttia. Käytännössä tämä tarkoittaa, että transistori pystyy käsittelemään suuria tehoja aiempaa pienemmillä lämpöhäviöillä ja nopeammalla kytkennällä.
Käytännössä tavoitteena on rakentaa tehokkaampia ja fyysisesti pienempiä power stage -ratkaisuja, jotka kestävät jatkuvasti kasvavia GPU-kuormia ilman massiivista lämpöongelmaa.
Komponentti toimitetaan Toshiba QDPAK -kotelossa, jossa lämpö johdetaan pois komponentin yläpinnan kautta. Tämä rakenne on tärkeä erityisesti AI-datakeskuksissa, joissa tehotiheys kasvaa nopeasti ja jäähdytyksestä tulee yhä kriittisempi osa koko järjestelmäsuunnittelua.
SiC-tehopuolijohteita ovat tähän asti ajaneet erityisesti sähköautot, aurinkosähköinvertterit ja energiavarastot. Nyt AI-datakeskukset näyttävät nousevan samalle listalle. Se kertoo, kuinka nopeasti tekoälyn energiankulutus alkaa vaikuttaa koko tehoelektroniikan kehitykseen.
Toshiba aloitti komponentin testinäytteiden toimitukset nyt, ja massatuotantoon on tarkoitus päästä vielä tämän vuoden aikana.Lomakkeen yläreuna
Lomakkeen alareuna
Ethernetin versio 10BASE-T1S luo uusia liiketoimintamahdollisuuksia vahvaa yhteentoimivuutta ja turvallisuutta vaativien toiminnallisten OT-verkkojen ja perinteisten IT-verkkojen yhdistämisessä. Dataan päästään käsiksi verkon reunalla olevista solmuista, jolloin verkkoa voidaan käyttää uusien älykkäiden ja ennakoivien palvelujen sekä omaisuuden seuranta- ja hallintaratkaisujen tarjoamiseen. Tämä tuo lukuisia etuja myös kustannuspuolella.