
Piikarbidipohjaisten tehoasteiden suunnittelu vaatii tarkkaa yhteensovittamista tehotransistorien ja niiden ohjainpiirien välillä. Nyt onsemi pyrkii helpottamaan tätä työtä uudella verkkopohjaisella Elite Pairing Studio -suunnitteluympäristöllä.
Työkalu auttaa suunnittelijoita löytämään sovellukseen sopivan yhdistelmän SiC-MOSFET-transistoreita ja hilaohjaimia. Kohteina ovat esimerkiksi sähköautot, tekoälydatakeskukset, teollisuusjärjestelmät sekä sähköistymiseen liittyvä infrastruktuuri.
Tehoelektroniikassa komponenttien valinta vaikuttaa suoraan järjestelmän hyötysuhteeseen, lämpenemiseen, kytkentähäviöihin ja sähkömagneettisiin häiriöihin. Sopivan transistorin ja ohjainpiirin löytäminen on tähän asti vaatinut datasivujen vertailua, laskentataulukoita sekä useita simulointi- ja testikierroksia.
Onsemin mukaan Elite Pairing Studio automatisoi tämän työn alkuvaiheita. Suunnittelija syöttää työkaluun sovelluksensa vaatimukset, minkä jälkeen ohjelmisto arvioi erilaisia komponenttiyhdistelmiä ja ehdottaa sopivia vaihtoehtoja.
Työkalu näyttää myös yksityiskohtaisia tietoja eri vaihtoehtojen käyttäytymisestä. Suunnittelija voi tarkastella esimerkiksi kytkentäaikoja, hilan jännite- ja virtakäyriä, ylijännitepiikkejä sekä päälle- ja poiskytkentähäviöitä. Tulokset esitetään interaktiivisessa aaltomuotonäkymässä, jonka avulla eri ratkaisujen välisiä kompromisseja voidaan vertailla jo ennen järjestelmätason simulointeja.
Elite Pairing Studio toimii pilvipalveluna ja muodostaa ensimmäisen vaiheen onsemin laajemmassa simulointityökaluketjussa. Työkalulla luodut mallit voidaan siirtää edelleen järjestelmätason simulointiin, jossa voidaan arvioida esimerkiksi hyötysuhdetta, lämpökäyttäytymistä ja kokonaistehohäviöitä.
Onsemi esittelee Elite Pairing Studion tällä viikolla Nürnbergissä järjestettävillä PCIM Europe 2026 -messuilla. Yhtiön mukaan ympäristöön lisätään jatkossa myös muita onsemin tehopuolijohdeteknologioita.




















