TSMC kertoi uutiset Piilaakson Santa Clarassa järjestetyssä Pohjois-Amerikan symposiumissaan. Tapahtuma järjestettiin jo 30. kerran, joten sillä on pitkät perinteet.
1,6 nanometrin prosessi perustuu GAA-tyyppisiin (gate-all-around) nanokalvotransistoreihin. GAA viittaa transistorirakenteeseen, jossa hila ympäröi kanavaa kokonaan. TSMC:n mukaan N16-prosessi tuottaa 10 prosenttia korkeamman kellotaajuuden samalla jännitteellä kuin N2. Virrankulutus pienenee 15-20 prosenttia ja transistoritiheys kasvaa 7-10 prosenttia.
Nanokalvotransistoreita TSMC alkaa käyttää jo ens vuonna N2-prosessin yhteydessä. Yhtiö kutsuu teniikkaa nimellä NanoFlex. NanoFlex tarjoaa suunnittelijoille joustavuutta N2-standardisoluissa, jotka ovat sirusuunnittelun perusrakennuspalikoita. Lyhyet solut tarkoittavat pientä pinta-alaa ja suurempaa energiatehokkuutta. Korkeat solut puolestaan maksimoivat suorituskyvyn. Asiakkaat voivat optimoida lyhyiden ja korkeiden solujen yhdistelmän samassa suunnittelulohkossa.
TSMC kertoi samalla tuovansa tarjolle viritellyn version aiemmasta N4P-prosessista. N4C alentaa valmistuskustannuksia jopa 8,5 prosenttia. Neljän nanometrin prosessissa valmistetaan esimerkiksi useita mobiiliprosessoreja.