STMicroelectronicsin uusi 40 voltin MOSFET, STL059N4S8AG, vie yhtiön Smart STripFET F8 -teknologian ensimmäistä kertaa tuotantoon autoelektroniikan tehonjako- ja akustosovelluksiin. Komponentin ilmoitettu RDS(on) on 0,59 milliohmia. Tämä johtohäviöiden pienentäminen ratkaisee suuren virran tehonjaossa hyötysuhteen ja lämpökuorman.
Komponentti on pakattu PowerFLAT 5x6 -koteloon, joten ST hakee samalla kahta etua. Häviöitä pyritään pienentämään matalalla resistanssilla, mutta yhtä tärkeää on se, että ohjain- ja jakelumoduuliin jää vähemmän jalanjälkeä. Tämä on käytännössä relevanttia etenkin autoissa, joissa tehonjakoon, sulakkeisiin, akuston hallintaan ja kuormien suojaukseen liittyvä elektroniikka kilpailee tilasta yhä tiiviimmissä ohjainyksiköissä.
ST kertoo uuden Smart STripFET F8 -rakenteen perustuvan perinteiseen STripFET F8 -teknologiaan, mutta muokattuun trench gate -rakenteeseen, jolla yhtiö hakee parempaa johtotilan suorituskykyä ja pienempää piialuetta. Tämä kuulostaa valmistajalle tärkeältä myös kustannus- ja integraationäkökulmasta, koska pienempi kide voi auttaa tuomaan alhaisen resistanssin kompaktimpaan koteloon.
STL059N4S8AG:n nimellisjännite on 40 volttia ja virrankesto 420 ampeeria. Lisäksi yhtiö korostaa 175 asteen maksimikäyttölämpötilaa, AEC-Q101-automotiiviluokitusta ja wettable flank -rakennetta, joka helpottaa optista tarkastusta kokoonpanossa. Nämä ovat autoelektroniikassa olennaisia ominaisuuksia, koska valmistettavuus, lämmönhallinta ja luotettavuus ratkaisevat usein enemmän kuin yksittäinen huippuspeksi.
Sarja ei jää yhteen komponenttiin. Nyt tuotannossa olevan 0,59 milliohmin version rinnalle ST lupaa myöhemmin 0,75 milliohmin ja 0,35 milliohmin versiot. Tämä viittaa siihen, että yhtiö rakentaa uutta perhettä nimenomaan suurivirtaisten 40 voltin autosovellusten ympärille. Uutisen paino ei siis ole läpimurrossa, vaan siinä, että ST yrittää parantaa yhtä autojen tehonjaon peruspalikkaa juuri siellä, missä jokainen milliohmi näkyy lämpönä, tilantarpeena ja lopulta hyötysuhteena.
