Samsung on esitellyt kännykkäpiireihinsä uuden RF-etupään, joka ensimmäistä kertaa valmistetaan 8 nanometrin prosessissa. Tämä mahdollistaa entistä pienempien modeemipiirien kehittämisen ja lopulta yhden sirun radion toteuttamisen älypuhelimiin.
Digitaalisissa piireissä valmistuksen nopea kehitys on johtanut siihen, että esimerkiksi kantataajuusosat modeemipiireissä voidaan toteuttaa erittäin tiheissä prosesseissa. Sen myötä piirien suorituskyky on kasvanut samalla kun koko ja tehonkulutus on kutistunut.
Sama ei ole ollut totta RF-osissa antennin kyljessä. Skaalaustumista on kyllä tapahtunut, mutta paljon hitaammin. Siksi RF-osissa on päästy noin 14 nanometriin, mikä tarkoittaa käytännössä, ettei älypuhelimiin saada monoliittista, yksisiruista ratkaisua.
Samsung ratkaisee tämän analogisten radiotaajuusosien skaalausongelman uudella transistoritekniikalla, jota se kutsuu nimellä RFeFET, lyhennyksenä termistä RFextremeFET. Tekniikalla RF-osia voidaan valmistamaa nyt 8 nanometrin prosessissa. Uusi tekniikka voi parantaa merkittävästi radiotaajuusominaisuuksia ja käyttää vähemmän virtaa.
14 nanometrin RF-piireihin verrattuna Samsungin 8 nm:n RF-prosessiteknologia parantaa energiatehokkuutta jopa 35 prosenttia. RF-etupään saa 8 nanometrillä toteutettua piillä 35 prosenttia pienemmässä tilassa.