NXP:n entinen vakiokomponenttien ryhmä eli mykyään kiinalaisomistuksessa oleva Nexperia esitteli viime vuoden puolella kokonaan uudentyyppisen kanavatransistorin eli FETin. Sovelluskohtainen fetti eli ASFET on nyt osoittanut voimansa. Esimerkiksi piirikortilla ASFET kutistaa tarvittavaa alaa 80 prosenttia.
Toinen tärkeä etu uusissa 80 ja 100 voltin ASFETeissa on turvallisen käyttöalueen laajeneminen peräti 166 prosenttia. Tämä helpottaa laitteiden hot swap -laajennusta ja -vaihtamista esimerkiksi konesaleissa ja 5G-verkkojen laitteissa.
Nexperia tarjoaa ASFET-perheitä esimerkiksi akkujen eristämiseen, moottorin ohjaukseen, laitteiden hot swap -pikavaihtoon ja Power over Ethernet (PoE) -sovelluksiin. Näiden räätälöityjen ASFETtien tarjoamat parannukset ovat monissa sovelluksissa 3-5-kertaisia. Esimerkiksi hot swap -vaihtoalue laajenee ja moottorisovelluksissa päästään yli 300 ampeerin maksimivirta-arvoihin.
Aiemmin MOSFETit ovat kärsineet Spirito -vaikutuksesta, jolloin turvallinen toiminta-alue kapenee nopeasti lämpötilan epävakauden vuoksi korkeammilla jännitteillä. Tämän ongelmat Nexperian ASFETit poistavat. Käytännössä piirit mahdollistavat hot-swapin jopa 125 asteessa.
Uutuuksista PSMN4R2-80YSE (80 V, 4,2 mΩ) ja PSMN4R8-100YSE (100 V, 4,8 mΩ) on pakattu Power-SO8-yhteensopivaan LFPAK56E-koteloon. Sen sisäinen kuparipidikerakenne parantaa lämpö- ja sähkökykyä samalla kun pienentää huomattavasti jalanjälkeä. Uusien LFPAK56E-piirien koko on vain 5 x 6 x 1,1 millimetriä.
Lisätietoja ASFETeista Nexperian sivuilta.