Galliumnitrifi-tehokomponenttien toimitukset kasvavat tänä vuonna 73 prosenttia, ennustaa TrendForce. Markkina on silti edelleen varsin pieni, sillä GaN-komponentteja myydään 83 miljoonalla dollarilla. Kasvu tulee kuitenkin vain kiihtymään jatkossa.
Tutkimuslaitoksen mukaan GaN-piirien markkinajohtajaksi on tänä vuonna nousemassa Navitas, joka tunnetaan GaNFast-piireillään. Niitä on käytetty esimerkiksi Lenovon, OPPOn ja Xiaomin älypuhelinten pikalatureissa. Tehokkain lienee toistaiseksi uuden Xiaomi 11T Pron laturi, jonka teho on nostettu jo 120 wattiin. Navitaksen markkinaosuus nousee tänä vuonna 29 prosenttiin.
Markkinakakkonen on entinen ykkönen eli Power Integrations 24 prosentin markkinaosuudella. Sen PowiGaN-tekniikka oli alkuvuosina selvästi käytetyin latureissa. Kolmanneksi ja jo aivan PI:n kantaan on noussut kiinalainen Innoscience. Sen markkinaosuus lähentelee jo 20 prosenttia.
Piin asema tehopuolijohteissa säilyy dominoivana vielä pitkään. Monissa sovelluksissa uuden laajan kaistaeron tekniikat kuitenkin vievät nopeasti markkinaosuuksia. Alhaisen jännitteen sovelluksissa GaN-tekniikan etuna ovat isot edut piihin verrattuna. Kytkentänopeus on jopa 20-kertainen, joten häviöt jäävät selvästi pienemmiksi. Piirin läpi voidaan ajaa jopa 3 kertaa enemmän virtaa, joten latureista saadaan jopa kolme kertaa nopeampia sekä selvästi pienikokoisempia.