GaN eli galliumnitridi on seuraavan sukupolven tehokomponenttien tekniikka, joka toimii jopa 20 kertaa nopeammin kuin vanha piipohjaiset laturit ja mahdollistaa jopa 3 kertaa suuremman lataustehon 40 prosenttia pienemmällä tehonkulutuksella ja puolta pienemmässä koossa. Nyt tämä älypuhelimiin ensin tullut tekniikka on laajenemassa kannettaviin tietokoneisiin ja jopa datakeskusten palvelimiin.
Navitas Semiconductor on GaN-piirien pioneeri. Nyt se ilmoittaa, että Dell on valinnut sen GaNFast-virtapiirit Latitude 9000 -sarjan kannettavien tietokoneiden pikalataukseen.
Uusi Dellin 60 watin pikalaturi korvaa vanhan piipohjaisiin komponentteihin pohjautuvan laturin. Läppärin GaNFast-laturi on kooltaan vain 66 x 55 x 22 millimetriä ja painaa 175 g. Se on 50 prosenttia pienempi ja 25 prosenttia kevyempi kuin edeltäjänsä.
GaN auttaa myös laitteiden hiilijalanjäljen pienentämisessä. Navitas arvioi, että läppärin laturin CO2-jalanjälki (valmistus, toimitus ja käyttö) pienenee lähes 30 prosenttia. Dell-sovittimessa (NV6115, NV6117) käytetään kahta GaNFast-virtapiiriä. Näiden avulla laturin profiili on saatu puristettua 22 millimetrin paksuiseksi.
Navitas ilmoittaa myös, että GaN-piirit näytepiirit ovat nyt ensimmäistä kertaa saatavilla datakeskusten, aurinkopaneelien ja sähköajoneuvojen suunnittelijoille. GaNFast-piirit toimivat 2-20 kilowatin tehoalueella, joten tekniikka skaalautuu helposti myös paljon puhelimia suuremmille tehoille.