Tehopuolijohteissa ollaan monella sektorilla siirtymässä piistä piikarbidiin tai gallium-nitridiin. Viimeksi mainittu on mahdollistanut selvästi nopeammat ja pienemmät kännykkälaturit. Seuraavaksi se mullistaa säkhöautojen lataamisen, sanoo GaN-pioneeri Navitas Semiconductor.
GaN eli galliumnitridi on seuraavan sukupolven tehokomponenttien tekniikka, joka toimii jopa 20 kertaa nopeammin kuin vanha piipohjaiset laturit ja mahdollistaa jopa 3 kertaa suuremman lataustehon 40 prosenttia pienemmällä tehonkulutuksella ja puolta pienemmässä koossa. Nyt tämä älypuhelimiin ensin tullut tekniikka on laajenemassa myös sähköautojen lataamiseen.
GaN-pohjaisten autojen integroitujen laturien arvioidaan latautuvan 3 kertaa nopeammin ja säästävän jopa 70 prosenttia energiaa vanhoihin piiratkaisuihin verrattuna. GaN-laturien, DC-DC-muuntimien ja invertterien arvioidaan pidentävän sähköajoneuvojen toimintasädettä tai alentavan akkukustannuksia 5 prosenttia. Navitaksen rohkean arvion mukaan tekniikka voi nopeuttaa sähköautojen käyttöönottoa maailmanlaajuisesti kolmella vuodella.
Navitas korostaa, kuinka GaN:n tarjoamat tehokkuus- ja kustannusparannukset antavat sähköajoneuvojen valmistajille mahdollisuuden vastata tärkeimpiin haasteisiin: latausajan lyhentäminen, energiansäästön lisääminen, hinnan alentaminen ja toimintasäteen laajentaminen.
Piiritasolla GaN-transistori kytkee 20 kertaa nopeammin kuin pii. Tämän ansiosta tehoa voidaan tuottaa kolme kertaa enemmän latureilla, jotka ovat kolme kertaa pienempiä ja kevyempiä kuin piipohjaiset ratkaisut.
Navitas ei ole arvioinut, millä aikataululla GaN-tekniikka on tulossa sähköautoihin.