Galliumnitridi eli GaN on laajan kaistaeron materiaali, joka mahdollistaa tehokkaammat, pienemmät ja nopeimmat laturit. Alueen pioneeri Navitas kertoo nyt toimittaneensa markkinoille 50 miljoonaa GaN-piiriä. Yhtään raportoitua vikaa kentällä olevista latureista ei ole löytynyt, yhtiö hehkuttaa.
Merkkipaalun kunniaksi Navitas luovutti GaN-kiekon kännykkävalmistaja Vivolle. Se on ollut yksi tekniikan laajamittaiseen käyttöön ottaneita valmistajia. Tammi-huhtikuussa 2022 Vivo ja Navitas yhdistivät visionsa nopeasta ja erittäin nopeasta latauksesta uusissa tuotteissaan.
Vivon uutuuksien laturit perustuvat Navitasin GaNFast- ja GaNSense-piireihin. GaNSense-teknologian avulla Vivo lanseerasi ensin 120 W:n ultranopean laturin, joka mahdollistaa kännykkäakun lataamisen 100 prosenttiin vain 19 minuutissa.
Sitten toimitettiin uraauurtava 80 watin dual-USB-C-laturi Vivon ensimmäiseen 8 tuuman taittuvalla näytöllä varustettuun puhelimeen ja se tukee kahden laitteen samanaikaista pikalatausta. Tämän laturin tehotiheys on 1 W/nelisentti.
Navitaksen perustaja Gene Sheridanin mukaan 50 miljoonaa toimitettua GaN-piiriä osoittaa, että tekniikan odotuksissa on siirrytty "milloin ja jos" -vaiheesta vaiheeseen nyt! - Vivon henki näkyy asiakkaissamme suuritehoisilla markkinoillamme, mukaan lukien datakeskus-, aurinko- ja sähkökäyttöiset sovellukset. Jokainen GaN-piiri säästää neljä kiloa CO2-päästöjä. GaN-tekniikka voisi säästää jopa 2,6 gigatonnia CO2-päästöjä vuodessa vuoteen 2050 mennessä, Sheridan hehkuttaa.