Gallium-nitridi on materiaali, joka on mullistanut pienten laitteiden lataamisen nopealla aikataudilla. Tulossa ovat jo 200 ja 240 watin kännykkä- ja läppärilaturit ja lisäksi GaN-piirien avulla säästetään merkittävästi hiilidioksidipäästöissä. GaN vastaa monien toiveisiin.
GaN-piirien pioneeri on Navitas Semiconductor. Yhtiö ilmoittaa nyt, että sen piireillä on säästetty jo satatuhatta tonnia CO2-päästöistä, kun laturien piipohjaisia siruja on korvattu yrityksen GaNFast-komponenteilla. Navitasin mukaan GaN-komponenttien hiilijalanjälki on jopa 10 kertaa piitä pienempi, kun otetaan mukaan myös valmistuksen ja toimitusketjun päästöt.
Miten tämä on mahdollista? Piin asema tehopuolijohteissa säilyy dominoivana vielä pitkään. Monissa sovelluksissa uuden laajan kaistaeron tekniikat kuitenkin vievät nopeasti markkinaosuuksia. Alhaisen jännitteen sovelluksissa GaN-tekniikan etuna ovat isot edut piihin verrattuna. Kytkentänopeus on jopa 20-kertainen, joten häviöt jäävät selvästi pienemmiksi. Piirin läpi voidaan ajaa jopa 3 kertaa enemmän virtaa, joten latureista saadaan jopa kolme kertaa nopeampia sekä selvästi pienikokoisempia.
Tämä näkyy tuotepuolella. Kännyköihin on tullut 150 watin teholla virta syöttäviä latureita, jotka muuttavat laitteen käyttöä olennaisesti. Tulollaan on lisäksi uusi PD 3.1 -standardi (USB Power Delivery), joka nostaa maksimitehon 240 wattiin.
Tämän hetken tehokkain kännykkälaturi lienee Ugreenin 200-wattinen. Sillä voidaan nopeasti ladata niin puhelimet kuin läppärit. Vihdoinkin laturitekniikka on kypsä siihen, että repussa riittää yksi ainoa laturi.