Monissa sulautetuissa sovelluksissa olisi käyttöä muisteille, jotka säilyttävät datansa, mutta olisivat silti yhtä nopeita kuin SRAM. Avalanche Technologyn kolmannen sukupolven MRAM-muistit näyttävät vastaavaan näihin vaatimuksiin. Piirien valmistuksesta on nyt sovittu taiwanilaisen UMC:n kanssa 22 nanometrin prosessissa.
Käytännössä Avalanche Technology tuo markkinoille standardituotteita sovelluksiin, jotka vaativat suurta kestävyyttä, luotettavuutta ja tiheyttä, mutta ilman ulkoisten akkujen, ECC:n tai kulumisen tasoittamisen tarvetta, yhtiö hehkuttaa.
Ensi vaiheessa tarjolle tuodaan 1 ja 4 gigabitin MRAM-piirit. Datanluku onnistuu SRAMnopeudella ja datan luvataan pysyvän tallessa jopa tuhannen vuoden ajan. Luku/kirjoitusjaksoja luvataan yli 1014 eli riittävästi mihin tahansa sovellukseen. Yhtiöllä on jo työn alla 16 gigabitin versio.
UMC:n linjoilla valmistettavat piirit paketoidaan standardiin 142-nastaiseen FBGA-koteloon, jolla on kokoa 15 x 17 millimetriä. Piirit sopivat käytännössä sellaisenaan korvaamaan vastaavat SRAM-muistit suunnitteluissa.
Avalanche kutsuu kolmannen polven MRAM-muistiaan nimellä 3D Cross Point MRAM. Yhtiön mukaan tekniikka tuo sovelluksiin SRAM-tyyppisen nopeuden, DRAM-virrankulutuksen sekä flasheista tutun haihtumattomuuden. Lisäksi arkkitehtuurin uskotaan skaalautuvan jopa terabittitasolle.
Lisätietoja Avalanchen piireistä löytyy täällä.
https://www.avalanche-technology.com/products/discrete-mram/space/